[发明专利]一种集约化生产槲蕨种苗的方法在审

专利信息
申请号: 202010739001.3 申请日: 2020-07-28
公开(公告)号: CN111727834A 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 李东;梁爽 申请(专利权)人: 北京岐黄医药股份有限公司
主分类号: A01G22/25 分类号: A01G22/25;A01G24/28;A01G24/15;A01G24/12;C12N5/04
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 杜仙;刘海罗
地址: 101200 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 集约化 生产 种苗 方法
【权利要求书】:

1.一种槲蕨种苗集约化繁育方法,其包括以下步骤:

(1)制备混合基质:将泥炭藓、蛭石和细沙按体积比10:(1-3):(1-5)混合,加水使基质含水量为40-50%,灭菌,得所述混合基质,装入穴盘待用;

(2)播种:将槲蕨孢子加水避光浸泡48-72小时,制备孢子悬液,按照200-800粒/cm2,优选400-500粒/cm2的播种量均匀播种至步骤(1)所述穴盘中混合基质的表面;

(3)培养:将步骤(2)播种后的穴盘置于温室潮汐苗床上进行培养,配子体成熟后将基质浸透水1次;其中,所述培养条件为:将苗床上方覆盖通风、透光且不易凝结水珠的材料;保持基质湿润;控制空气相对湿度80-100%,最低环境温度为12℃,最高环境温度为26℃;优选地,控制昼夜温差10℃以上。

2.权利要求1的方法,步骤(1)所述混合基质中泥炭藓、蛭石和细沙体积比为10:1:4;

优选地,所述泥炭藓为丹麦品氏托普泥炭藓,例如长度规格为0-6mm的泥炭藓;

优选地,所述蛭石粒径为12-24目(例如0.8-1.2mm);

优选地,所述细沙粒径为70-180目;

优选地,所述灭菌为高压灭菌;优选的方法为:将所述基质置于高压灭菌锅于120-125℃,103-105Kpa处理40-50min,任选的,还包括将高压灭菌后的基质用50-200倍体积的50%灭蝇胺可溶性粉剂1000倍稀释液处理,密封存放12-48小时(例如24小时)的步骤。

3.权利要求1或2的方法,在步骤(1)中将所述混合基质装入穴盘后,还包括用经软化处理EC值小于60us/cm的水浸透的步骤;

优选地,在步骤(1)中将所述混合基质装入穴盘前,还包括将穴盘用0.5%高锰酸钾溶液浸泡15min-1h(例如30min)的步骤。

4.权利要1-3任一项的方法,其中步骤(2)中所述槲蕨孢子通过下述方法得到:收集成熟槲蕨孢子叶片,待孢子自然脱落,得到所述槲蕨孢子;任选地,收集成熟槲蕨孢子叶片后剪除叶片上部1/4;

优选地,于春天(例如3-4月)或秋天(例如8-9月)收集成熟槲蕨孢子叶片;

优选地,将收集得到的成熟槲蕨孢子叶片装入纸袋(例如硫酸纸袋),置通风、阴凉处干燥使孢子自然脱落;

优选地,在得到所述槲蕨孢子后,还包括除固体杂质的步骤,例如过200目筛;

优选地,将所述槲蕨孢子在0-4℃(例如0℃)保存;优选密封保存。

5.权利要求1-4任一项的方法,步骤(2)中所述孢子悬液的浓度为0.1-1mg/ml(例如0.5mg/ml)。

6.权利要求1-5任一项的方法,在步骤(3)中,孢子萌发后每10-15天(例如每15天)喷施1次氮磷钾复合肥,例如2000倍稀释的花多多复合肥营养液,更优选2000倍稀释的花多多1号(20-20-20)复合肥营养液。

7.权利要求1-6任一项的方法,在配子体受精后至孢子体出现第一片真叶时,进行分苗;

优选地,在所述分苗前,还包括控水的步骤。

8.权利要求7的方法,分两次进行所述分苗,以使孢子体苗密度达到5-10株/16cm2;优选地,每次分苗后还包括缓苗的步骤。

9.权利要求8的方法,其中,第一次分苗使孢子体苗密度为8-15株/cm2(优选10株/cm2);优选地,第一次分苗时所用培养基质和/或穴盘与播种时所用基质相同;优选地,第一次分苗完成缓苗后,每10-15天(例如每15天)喷施1次氮磷钾复合肥,例如2000倍稀释的花多多复合肥营养液,更优选2000倍稀释的花多多1号(20-20-20)复合肥营养液;优选地,第一次分苗后培养条件为:控制空气相对湿度80-100%,最低环境温度为12℃,最高环境温度为26℃;优选地,控制昼夜温差10℃以上。

10.权利要求8或9的方法,其中,第二次分苗时机为孢子体苗高2-3cm时;优选地,第二次分苗时选用泥炭藓(例如丹麦品氏托普泥炭藓,例如规格为10-30mm的丹麦品氏托普泥炭藓)作为培养基质;优选地,第二次分苗完成缓苗后,每8-15天(例如10天)喷施1次氮磷钾复合肥以及包膜复合肥;优选地,第二次分苗后培养条件为:空气相对湿度80-100%,最低环境温度为10℃,最高环境温度为30℃;优选地,控制昼夜温差10℃以上。

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