[发明专利]一种外部非接触式VFTO信号测量装置在审

专利信息
申请号: 202010739076.1 申请日: 2020-07-28
公开(公告)号: CN111830311A 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 谭向宇;赵现平;王科;李萍;彭晶;张林山 申请(专利权)人: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00;G01R15/14
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 逯长明;许伟群
地址: 650217 云南省昆*** 国省代码: 云南;53
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 外部 接触 vfto 信号 测量 装置
【权利要求书】:

1.一种外部非接触式VFTO信号测量装置,其特征在于,包括:非接触式电压采集模块(1)、非接触式电流采集模块(2)、数据处理模块(3)、存储模块(4)、电源管理模块(5)和通讯模块(6),其中,非接触式电压采集模块(1)、非接触式电流采集模块(2)均与数据处理模块(3)相连接,存储模块(4)、通讯模块(6)分别与数据处理模块(3)相连接,数据处理模块(3)、存储模块(4)、通讯模块(6)均与电源管理模块(5)相连接。

2.根据权利要求1所述的一种外部非接触式VFTO信号测量装置,其特征在于,所述非接触式电压采集模块(1)包括光电传感器(7)、激光单元和电场强度转换单元,所述光电传感器(7)通过光纤分别与所述激光单元、所述电场强度转换单元连接,所述光电传感器(7)和所述激光单元用于获得电场强度,所述电场强度转换单元用于把电场强度转换为电压的信号。

3.根据权利要求1所述的一种外部非接触式VFTO信号测量装置,其特征在于,所述非接触式电流采集模块(2)包括磁场检测探头(8)、雷达测距单元(9)与磁场强度转换单元,所述磁场检测探头(8)、所述雷达测距单元(9)分别通过光纤与所述磁场强度转换单元相连接,所述磁场检测探头用于检测磁场,所述雷达测距单元用于测量所述磁场检测探头与GIS内部高压母线的距离,所述磁场强度转换单元将磁场强度转为对应的电流信号。

4.根据权利要求1所述的一种外部非接触式VFTO信号测量装置,其特征在于,所述数据处理模块(3)包括ARM处理器和STM32单片机。

5.根据权利要求1所述的一种外部非接触式VFTO信号测量装置,其特征在于,所述存储模块(4)包括flash芯片和DDR4存储芯片。

6.根据权利要求1所述的一种外部非接触式VFTO信号测量装置,其特征在于,所述电源管理模块(5)包括电池和充放电管理单元,所述电池与所述充放电管理单元连接,所述充放电管理单元用于控制所述电池的充放电。

7.根据权利要求1所述的一种外部非接触式VFTO信号测量装置,其特征在于,所述通讯模块(6)采用4G和载波双通道。

8.根据权利要求5所述的一种外部非接触式VFTO信号测量装置,其特征在于,所述DDR4存储芯片容量大于或等于256MB。

9.根据权利要求6所述的一种外部非接触式VFTO信号测量装置,其特征在于,所述电池采用可拆装的7.4V·2200mAh智能宽温锂电池。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云南电网有限责任公司电力科学研究院,未经云南电网有限责任公司电力科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010739076.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top