[发明专利]SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质

权利要求书

1.一种SiC MOSFET器件结温的测量方法，其特征在于，所述方法包括：

对处于不同测试温度下的参考SiC MOSFET器件施加预设栅源负电压和预设源漏电流，以测量所述参考SiC MOSFET器件在不同测试温度下的源-漏二极管结电压；其中，在所述预设栅源负电压下，所述参考SiC MOSFET器件的源-漏二极管结电压不随测试时间变化而变化，且所述参考SiC MOSFET器件的源-漏二极管结电压的大小与所述预设栅源负电压的大小无关；

对所有测试温度及其对应的所述参考SiC MOSFET器件的源-漏二极管结电压进行线性拟合，得到源-漏二极管结电压与温度的线性关系；其中，所述线性关系的斜率为源-漏二极管结电压的温度系数；

对待测SiC MOSFET器件施加所述预设栅源负电压和所述预设源漏电流，以测量所述待测SiC MOSFET器件的源-漏二极管结电压；

利用所述线性关系，根据所述待测SiC MOSFET器件的源-漏二极管结电压确定所述待测SiC MOSFET器件的结温。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设栅源负电压通过以下步骤确定：

对预设测试温度下的所述参考SiC MOSFET器件施加所述预设源漏电流和不同的栅源负电压，以测量所述参考SiC MOSFET器件在不同栅源负电压下的源-漏二极管结电压，以及所述参考SiC MOSFET器件在每个栅源负电压下的源-漏二极管结电压随测试时间变化的变化曲线；

根据所述参考SiC MOSFET器件在不同栅源负电压下的源-漏二极管结电压，以及所述参考SiC MOSFET器件在每个栅源负电压下的源-漏二极管结电压随测试时间变化的变化曲线，确定所述参考SiC MOSFET器件的源-漏二极管结电压不随栅源负电压大小和测试时间变化而变化的栅源负电压范围，并从其中选取所述预设栅源负电压。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述预设栅源负电压为-15V至-5V。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述预设源漏电流为1mA至20mA。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述参考SiC MOSFET器件和所述待测SiCMOSFET器件的源-漏二极管结电压通过数据采集卡或示波器采集得到。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所有测试温度及其对应的所述参考SiCMOSFET器件的源-漏二极管结电压进行线性拟合，得到源-漏二极管结电压与温度的线性关系，包括以下步骤：

利用最小二乘法对所有测试温度及其对应的所述参考SiC MOSFET器件的源-漏二极管结电压进行线性拟合，得到源-漏二极管结电压与温度的线性关系。

7.一种SiC MOSFET器件结温的测量装置，其特征在于，所述装置包括：

参考器件的结电压测量模块，用于对处于不同测试温度下的参考SiC MOSFET器件施加预设栅源负电压和预设源漏电流，以测量所述参考SiC MOSFET器件在不同测试温度下的源-漏二极管结电压；其中，在所述预设栅源负电压下，所述参考SiC MOSFET器件的源-漏二极管结电压不随测试时间变化而变化，且所述参考SiC MOSFET器件的源-漏二极管结电压的大小与所述预设栅源负电压的大小无关；

线性拟合模块，用于对所有测试温度及其对应的所述参考SiC MOSFET器件的源-漏二极管结电压进行线性拟合，得到源-漏二极管结电压与温度的线性关系；其中，所述线性关系的斜率为源-漏二极管结电压的温度系数；

待测器件的结电压测量模块，用于对待测SiC MOSFET器件施加所述预设栅源负电压和所述预设源漏电流，以测量所述待测SiC MOSFET器件的源-漏二极管结电压；

待测器件的结温确定模块，用于利用所述线性关系，根据所述待测SiC MOSFET器件的源-漏二极管结电压确定所述待测SiC MOSFET器件的结温。