[发明专利]垂直腔面激光发射装置及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202010739830.1 申请日: 2020-07-28
公开(公告)号: CN111884047A 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 张义荣 申请(专利权)人: 传周半导体科技(上海)有限公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/022;H01S5/026
代理公司: 北京久维律师事务所 11582 代理人: 邢江峰
地址: 200003 上海市浦东新区中国(上海)*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 垂直 激光 发射 装置 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种垂直腔面激光发射装置,其特征在于,包括:

一陶瓷基板;

发射第一波长的第一垂直腔面激光发射二极管,设置在所述陶瓷基板上;

发射第二波长的第二垂直腔面激光发射二极管,设置在所述陶瓷基板上;以及

一驱动控制电路,设置在所述陶瓷基板上,用于驱动所述第一垂直腔面发射激光二极管,并在所述第一垂直腔面发光二极管工作失效时,启动所述第二垂直腔面发光二极管工作。

2.如权利要求1所述的垂直腔面激光发射装置,其特征在于,在一接收装置未接收到所述第一垂直腔面激光发射二极管发射的信号时,主机判定所述第一垂直腔面激光发射二极管工作失效,则输出一命令给所述驱动控制电路,以启动所述第二垂直腔面激光发射二极管工作。

3.如权利要求1所述的垂直腔面激光发射装置,其特征在于,还包括塑封支架,设置在所述陶瓷基板上,用于固定所述第一垂直腔面激光发射二极管、第二垂直腔面激光发射二极管以及驱动控制电路。

4.如权利要求1所述的垂直腔面激光发射装置,其特征在于,还包括扩散层,设置在所述塑封支架上并覆盖所述第一垂直腔面激光发射二极管、第二垂直腔面激光发射二极管以及驱动控制电路,用于控制发射角度。

5.如权利要求1所述的垂直腔面激光发射装置,其特征在于,所述陶瓷基板为氮化铝陶瓷基板。

6.如权利要求1所述的垂直腔面激光发射装置,其特征在于,所述第一波长为905nm。

7.如权利要求1所述的垂直腔面激光发射装置,其特征在于,所述第二波长为680nm。

8.一种垂直腔面激光发射装置的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供一陶瓷基板并清洗干净;

在所述陶瓷基板上固定用于发射第一波长的第一垂直腔面激光发射二极管;

在所述陶瓷基板上固定用于发射第二波长的第二垂直腔面激光发射二极管;

在所述陶瓷基板上固定一驱动控制电路,所述驱动控制电路用于驱动所述第一垂直腔面发射激光二极管,并在所述第一垂直腔面发光二极管工作失效时,启动所述第二垂直腔面发光二极管工作。

9.如权利要求8所述的制作方法,其特征在于,还包括用一塑封支架固定所述第一垂直腔面激光发射二极管、第二垂直腔面激光发射二极管以及驱动控制电路。

10.如权利要求8所述的制作方法,其特征在于,还包括对所述塑封支架使用环氧密封胶密封。

11.如权利要求8所述的制作方法,其特征在于,还包括对所述塑封支架内部使用氮气进行抽真空保护。

12.如权利要求8所述的制作方法,其特征在于,还包括在所述塑封支架上设置扩散层并覆盖所述第一垂直腔面激光发射二极管、第二垂直腔面激光发射二极管以及驱动控制电路,以控制所述第一发射垂直腔面激光发射二极管、第二垂直腔面激光发射二极管的发射角度。

13.如权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述陶瓷基板为氮化铝陶瓷基板。

14.如权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述第一波长为905nm。

15.如权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述第二波长为680nm。

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