[发明专利]叉指方式的非对称双向可控硅静电释放器件及其制作方法

权利要求书

1.一种叉指方式的非对称双向可控硅静电释放器件，其特征在于：包括P型衬底；

所述P型衬底上方设有P型外延层，P型衬底与P型外延层之间设有N型埋层；

所述P型外延层内从左往右依次设有第一高压N阱、第二高压N阱和第三高压N阱；

所述第一高压N阱内设有第一深N阱，第二高压N阱内设有第二深N阱且第二深N阱左侧宽于第二高压N阱，第三高压N阱内设有第三深N阱且第三深N阱左侧宽于第三高压N阱；

所述第二深N阱左上方设有第一浅N阱，第三深N阱左上方设有第二浅N阱；

所述第一深N阱的左侧设有第一深P阱，第一深N阱与第二深N阱之间从左至右依次设有第二深P阱和第三深P阱，第二深N阱与第三深N阱之间从左至右依次设有第四深P阱和第五深P阱，第三深N阱右侧设有第六深P阱；

所述第一深P阱到第六深P阱内依次设有第一浅P阱到第六浅P阱；

所述第一浅P阱中设有第一P+注入区；所述第二浅P阱中从左往右依次设有第二P+注入区、第一N+注入区；所述第三浅P阱中从左往右依次设有第四P+注入区、第二N+注入区；所述第二浅P阱和第三浅P阱之间跨接第三P+注入区；所述第四浅P阱中从左往右依次设有第五P+注入区、第三N+注入区；所述第五浅P阱中从左往右依次设有第七P+注入区、第四N+注入区；所述第四浅P阱和第五浅P阱之间跨接第六P+注入区；所述第六浅P阱中设有第八P+注入区；

所述第五P+注入区、第三N+注入区和第四N+注入区连接在一起并作为器件的阳极；所述第一P+注入区、第二P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区和第八P+注入区连接在一起并作为器件的阴极。

2.根据权利要求1所述的叉指方式的非对称双向可控硅静电释放器件，其特征在于：所述第一P+注入区左侧和P型外延层左侧边缘之间为第一场氧隔离区，第一P+注入区右侧与第二P+注入区左侧之间为第二场氧隔离区，第二P+注入区右侧和第一N+注入区左侧之间为第三场氧隔离区，第一N+注入区右侧和第三P+注入区左侧之间为第四场氧隔离区，第三P+注入区右侧和第四P+注入区左侧之间为第五场氧隔离区，第四P+注入区右侧和第二N+注入区左侧之间为第六场氧隔离区，第二N+注入区右侧和第五P+注入区左侧之间为第七场氧隔离区，第五P+注入区右侧和第三N+注入区左侧之间为第八场氧隔离区，第三N+注入区右侧和第六P+注入区左侧之间为第九场氧隔离区，第六P+注入区右侧和第七P+注入区左侧之间为第十场氧隔离区，第七P+注入区右侧和第四N+注入区左侧之间为第十一场氧隔离区，第四N+注入区右侧和第八P+注入区左侧之间为第十二场氧隔离区，第八P+注入区右侧和P型外延层右侧边缘之间为第十三场氧隔离区。