[发明专利]一种基于聚光效应的半导体光电探测器

权利要求书

1.一种基于聚光效应的半导体光电探测器，其特征在于：包括透明介质和半导体光电探测器，所述透明介质内部嵌合有荧光材料，透明介质的一侧与所述半导体光电探测器固定连接，透明介质的前壁、后壁、底部以及远离半导体光电探测器一侧的外壁均覆盖镀铝薄膜；所述半导体光电探测器包括半导体材料、ITO玻璃和金属电极，所述ITO玻璃和金属电极分别连接在半导体材料的两侧，且所述ITO玻璃与所述透明介质的一侧固定连接。

2.根据权利要求1所述基于聚光效应的半导体光电探测器，其特征在于：所述透明介质的几何形状为薄片状的长方体。

3.根据权利要求2所述基于聚光效应的半导体光电探测器，其特征在于：所述透明介质的长为10-20厘米，透明介质的宽为5-10厘米，透明介质的厚度为5-15毫米。

4.根据权利要求1所述基于聚光效应的半导体光电探测器，其特征在于：所述透明介质的折射率不小于1.5，透明介质的透光率不小于90％。

5.根据权利要求1所述基于聚光效应的半导体光电探测器，其特征在于：所述荧光材料分为若干组，均匀分布于透明介质的内部。

6.根据权利要求1所述基于聚光效应的半导体光电探测器，其特征在于：所述荧光材料采用荧光染料分子或荧光量子点。

7.根据权利要求1所述基于聚光效应的半导体光电探测器，其特征在于：所述荧光材料的荧光量子产率不低于75％。

8.根据权利要求1所述基于聚光效应的半导体光电探测器，其特征在于：所述荧光材料在透明介质内部的浓度为1-5mg/cm³。

9.根据权利要求1所述基于聚光效应的半导体光电探测器，其特征在于：所述半导体光电探测器为光电导型光电探测器。

10.根据权利要求1所述基于聚光效应的半导体光电探测器，其特征在于：所述半导体材料包括但不限于硅、锗、氮化镓、铝镓氮和铟镓砷。