[发明专利]阵列基板和显示装置有效
申请号: | 202010742595.3 | 申请日: | 2020-07-29 |
公开(公告)号: | CN111739898B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 周璐;刘博智;陈国照 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G06V40/13 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
本发明公开了一种阵列基板和显示装置,涉及显示技术领域。阵列基板包括衬底基板和至少一个指纹识别单元,任一指纹识别单元均包括依次设置的第一半导体层、隔离层和第二半导体层;沿垂直于衬底基板所在平面的方向,还包括贯穿隔离层的至少一个第一通孔,第二半导体层通过第一通孔与第一半导体层相接触;任一指纹识别单元包括第一区和环绕第一区的第二区,第一通孔在衬底基板的正投影位于第一区,第二半导体层在衬底基板的正投影位于第一区和第二区;第二半导体层包括靠近第一半导体层的第一表面,第二半导体层的第一表面位于第一区的至少部分不与第一半导体层相接触。通过减小两个半导体层相接触的面积,降低两个半导体层发生剥离的风险。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种阵列基板和显示装置。
背景技术
随着移动显示产品的普及,信息安全备受人们的关注。指纹是人体与生俱来独一无二可与其他人相区别的不变特征,它是由指端皮肤表面上的一系列脊和谷组成,这些脊和谷的组成细节决定了指纹图案的唯一性。由于指纹具有唯一性、难以复制性、安全性等优点,近年来指纹识别技术被广泛应用于移动显示产品中,作为一种身份认证和访问控制的方式,使得移动显示产品的安全性和易操作性得到极大的提高。
光学指纹识别是利用光的折射和反射原理,将手指放在移动显示产品上,通过光线照在手指表面纹谷和纹脊的反射差异,实现光感器件接收不同指纹信息差异化,形成指纹图像,工作原理比较简单,适合移动显示产品的全面屏化设计。
现有技术中,光学指纹识别技术一般采用光电二极管作为感光元件,光学指纹识别区域的光电二极管包括有A-si和Poly Si,且A-si和Poly Si这两层直接搭接,但是当A-si朝向Poly Si的一侧表面接触面积过大时,由于膜层之间的接触力较差,会存在A-si和Poly Si发生剥离的问题,影响光学指纹识别单元的电学特性。因此,亟待发明一种新的光学指纹识别单元的膜层关系结构,以避免光学指纹识别单元易发生膜层剥离的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种阵列基板和显示装置,用以改善指纹识别单元中膜层结构间易发生剥离的问题。
第一方面,本申请提供一种种阵列基板,包括衬底基板和至少一个指纹识别单元,任一所述指纹识别单元均包括在所述衬底基板一侧依次设置的第一半导体层、隔离层和第二半导体层;
沿垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述阵列基板还包括贯穿所述隔离层的至少一个第一通孔,各所述指纹识别单元中的所述第二半导体层通过至少一个所述第一通孔与所述第一半导体层相接触;
任一所述指纹识别单元包括第一区和环绕所述第一区的第二区,所述第一通孔在所述衬底基板的正投影位于所述第一区,所述第二半导体层在所述衬底基板的正投影位于所述第一区和所述第二区;
各所述指纹识别单元中,所述第二半导体层包括靠近所述第一半导体层的第一表面,所述第二半导体层的所述第一表面位于所述第一区的至少部分不与所述第一半导体层相接触。
第二方面,本申请提供了一种显示装置,所述显示装置包括阵列基板。
与现有技术相比,本发明提供的一种阵列基板和显示装置,至少实现了如下的有益效果:
本申请提供了一种阵列基板,在指纹识别单元的膜层结构中,通过在第一半导体层和第二半导体层之间的隔离层中设置若干个第一通孔,使第一半导体层和第二半导体层通过第一通孔相接触,减小两个半导体层相接触的表面积,从而降低第一半导体层和第二半导体层发生剥离的风险,提高阵列基板的可靠性。
当然,实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述,本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的