[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

半导体管芯；

基部构件，所述基部构件具有导电主表面，所述导电主表面包括在其上安装所述半导体管芯的区域；

侧壁，所述侧壁被设置在所述基部构件的导电主表面上，并且包围所述导电主表面的所述区域，所述侧壁由介电体制成，其中，所述侧壁包括第一部分和第二部分，所述第一部分和第二部分将所述区域夹在中间；

第一导电膜，所述第一导电膜被设置在所述侧壁的所述第一部分上，所述第一导电膜被电连接到所述半导体管芯；

第二导电膜，所述第二导电膜被设置在所述侧壁的所述第二部分上，所述第二导电膜被电连接到所述半导体管芯；

第一导电引线，所述第一导电引线在所述侧壁的所述第一部分上被导电结合到所述第一导电膜；

第二导电引线，所述第二导电引线在所述侧壁的所述第二部分上被导电结合到所述第二导电膜；

其中，所述基部构件的所述第一部分和所述第二部分中的至少一个在其面对所述基部构件的后表面上包括凹部，并且所述凹部被构造成在位于对应的导电膜的下方的所述侧壁的所述第一部分和所述第二部分中的至少一个与所述基部构件之间限定间隙。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

第三导电膜，所述第三导电膜被设置在所述凹部的内表面上，所述第三导电膜被电连接到所述基部构件的所述主表面。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述第一导电膜、所述侧壁的第一部分和所述基部构件的所述主表面的一部分构成第一微带线，并且当所述第二部分包括凹部时，所述第二导电膜、所述侧壁的第二部分和所述基部构件的所述主表面的一部分构成第二微带线，并且

其中，当从相对于所述主表面的法线方向观察时，所述第二微带线的与所述凹部相重叠的部分中的特征阻抗比所述第一微带线或所述第二微带线的在所述法线上不与所述凹部相重叠的不同部分中的特征阻抗小至少10％。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，位于所述侧壁与所述基部构件之间的所述凹部的内表面上不设置导电膜。

5.根据权利要求1或4所述的半导体器件，其中，所述第一导电膜、所述侧壁的第一部分和所述基部构件的所述主表面的一部分构成第一微带线，并且当所述第二部分包括凹部时，所述第二导电膜、所述侧壁的第二部分和所述基部构件的所述主表面的一部分构成第二微带线，并且

其中，当从相对于所述主表面的法线方向观察时，所述第二微带线的与所述凹部相重叠的部分中的特征阻抗比所述第一微带线或所述第二微带线的在所述法线上不与所述凹部相重叠的不同部分中的特征阻抗高至少10％。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体器件，其中，在与所述侧壁的所述第二部分的延伸方向相交的方向上，设置在所述第二部分中的所述凹部的宽度等于或大于所述侧壁的所述第二部分的宽度的一半。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的半导体器件，其中，被设置在所述第二部分中的所述凹部的两端中的至少一端在与所述侧壁的所述第二部分的延伸方向相交的方向上被封闭。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的半导体器件，其中，包括所述凹部的所述第二部分在形成有所述凹部的部分中的厚度等于或大于所述侧壁的在不同于所述第二部分的部分中的厚度的30％。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的半导体器件，

其中，被设置在所述第二部分中的所述凹部的宽度在所述第二部分的延伸方向上大于所述第二导电膜的宽度，使得当从相对于所述主表面的法线方向观察时，所述凹部从所述第二导电膜的两端扩展出。