[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010742808.2 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN111785678A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 刘思旸;冯俊波 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/84 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 401332 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
绝缘体上硅晶圆；
形成于所述绝缘体上硅晶圆的顶层硅的硅光器件，所述硅光器件包括激光器；
加厚区域，形成于所述激光器上表面，以加厚所述激光器，使达到模式匹配效果对所述顶层硅的厚度要求。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
覆盖所述硅光器件和所述加厚区域的保护层。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层包括二氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述加厚区域的厚度至少为180nm。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述加厚区域包括多晶硅加厚区域和非晶硅加厚区域中的至少一种。
6.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供绝缘体上硅晶圆，所述绝缘体上硅晶圆包括顶层硅；
在所述顶层硅中形成多个硅光器件，所述多个硅光器件包括激光器；
加厚所述激光器所在区域的顶层硅，以加厚所述激光器，使达到模式匹配效果对顶层硅的厚度要求。
7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在加厚所述激光器所在区域的顶层硅前，进一步包括形成覆盖所述多个硅光器件的上表面的介质层。
8.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在加厚所述激光器所在区域的顶层硅前，进一步包括去除需要加厚区域对应介质层的步骤。
9.根据权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述介质层包括覆盖至所述多个硅光器件表面的二氧化硅层，在加厚所述激光器所在区域的顶层硅前，去除需要加厚区域对应的二氧化硅层。
10.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，加厚所述激光器所在区域的顶层硅后，对加厚区域的表面进行二次刻蚀成型。
11.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述多个硅光器件还包括调制器、波导中的一种或多种。
12.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述激光器包括激光器波导以及激光器光栅。
13.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述加厚顶层硅的步骤，是采用多晶硅或非晶硅材料进行加厚处理。
14.根据权利要求13所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，通过化学气相沉积、物理气相沉积以及原子层沉积中的至少一种方法，在所述激光器所在区域的顶层硅沉积多晶硅或非晶硅材料，以实现加厚。
15.根据权利要求10所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，对加厚区域的表面进行二次刻蚀成型后，还包括以下步骤：
形成覆盖所述硅光器件的保护层。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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