[发明专利]微型器件转移头及其制造方法、微型发光二极管的转移方法在审
| 申请号： | 202010742822.2 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN111987036A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 张良玉;朱充沛;高威;周宇;黄洪涛 | 申请（专利权）人： | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/677;H01L21/67;H01L33/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210033 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微型 器件 转移 及其 制造 方法 发光二极管 | ||
1.一种微型器件转移头，其特征在于，包括衬底基板、位于衬底基板上且阵列排布的多个高台、位于高台上的凹槽以及位于凹槽底部的有机粘附层。
2.根据权利要求1所述的微型器件转移头，其特征在于，所述凹槽的深度小于微型发光二极管的高度，凹槽的底部宽度大于微型发光二极管的宽度。
3.根据权利要求1所述的微型器件转移头，其特征在于，所述凹槽的开口形状为圆形或多边形。
4.根据权利要求1所述的微型器件转移头，其特征在于，所述微型器件转移头的材质为玻璃。
5.一种微型器件转移头的制造方法，用于制造权利要求1-4任一所述的微型器件转移头，其特征在于，包括以下步骤：
S01：在基础衬底上涂布第一光阻，曝光显影后形成阵列分布的多个光阻柱；
S02：沉积第一金属层，包括Cr金属层和Au金属层；
S03：剥离光阻柱以及位于光阻柱上方的第一金属层，剩余在基础衬底上的第一金属层形成阻挡层；
S04：刻蚀基础衬底形成阵列分布的多个高台以及位于高台底部的衬底基板；
S05：涂布第二光阻并对其图案化，刻蚀阻挡层形成位于阻挡层中间的第一开孔，之后去除第二光阻；
S06：刻蚀位于第一开孔内的高台形成凹槽，之后去除阻挡层；
S07：在凹槽底部形成有机粘附层。
6.根据权利要求5所述的微型器件转移头的制造方法，其特征在于，步骤S07之前增加以下步骤：对微型器件转移头进行等离子体清洁处理。
7.根据权利要求5所述的微型器件转移头的制造方法，其特征在于，
8.根据权利要求5所述的微型器件转移头的制造方法，其特征在于，高台的高度≥10μm。
9.一种微型发光二极管的转移方法，使用权利要求1-3任一所述的微型器件转移头，其特征在于，转移方法包括以下步骤：
S1：暂态基板上的微型发光二极管与凹槽内的有机粘附层对位贴合；
S2：先降温至露点在凹槽与微型发光二极管的贴合处形成触及微型发光二极管侧壁的水膜，再次降温至冰点使水膜结冰；
S3：移走暂态基板，微型发光二极管留在微型器件转移头上；
S4：转移微型发光二极管至驱动背板的键合电极上升温进行键合；
S5：键合完成后移走微型器件转移头。
10.根据权利要求7所述的微型器件转移头的制造方法，其特征在于，微型发光二极管底部包括电极层和键合层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
