[发明专利]驱动电路及半导体装置

权利要求书

1.一种驱动电路，该驱动电路控制输出部，该输出部根据输入的第1控制信号与输出线的电压之间的电位差，切换是否对所述输出线提供电流，其特征在于，该驱动电路包括：

控制线，该控制线将所述第1控制信号传送到所述输出部；

低电位线，该低电位线施加有预定的基准电位；

第1连接切换部，该第1连接切换部根据第2控制信号来切换是否连接所述控制线和所述低电位线；及

切断部，该切断部在所述控制线与所述低电位线之间与所述第1连接切换部串联设置，基于所述低电位线的电位，切断所述控制线和所述低电位线。

2.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，

所述切断部在所述低电位线的电位比第1阈值电位要高的情况下，与所述第2控制信号的值无关地切断所述控制线和所述低电位线。

3.如权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，还包括：

高电位线，该高电位线施加有比所述第1阈值电位要高的高电位；及

前级控制部，该前级控制部设置在所述高电位线与所述低电位线之间，将所述高电位线和所述低电位线中的某一个的电位作为所述第2控制信号输入到所述第1连接切换部，

所述第1连接切换部具有在从所述前级控制部输入的电位比第2阈值电位要高的情况下成为导通状态的MOSFET。

4.如权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，

所述前级控制部具有：

第1逆变器，该第1逆变器设置在所述高电位线与所述低电位线之间，根据输入的信号来选择所述高电位线和所述低电位线中的某一个的电位并进行输出；及

第2逆变器，该第2逆变器设置在所述高电位线与所述低电位线之间，根据所述第1逆变器的输出，选择所述高电位线和所述低电位线中的某一个的电位，并将该所述高电位线和所述低电位线中的某一个的电位作为所述第2控制信号输入到所述第1连接切换部的MOSFET，

所述切断部在所述第1逆变器的输出比所述第1阈值电位要高的情况下，切断所述控制线和所述低电位线。

5.如权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，

所述前级控制部具有：

第1逆变器，该第1逆变器设置在所述高电位线与所述低电位线之间，根据输入的信号来选择所述高电位线和所述低电位线中的某一个的电位并进行输出；

第2逆变器，该第2逆变器设置在所述高电位线与所述低电位线之间，根据所述第1逆变器的输出，选择所述高电位线和所述低电位线中的某一个的电位，并将该所述高电位线和所述低电位线中的某一个的电位作为所述第2控制信号输入到所述第1连接切换部的MOSFET；及

第3逆变器，该第3逆变器设置在所述高电位线与所述低电位线之间，根据所述第2逆变器的输出，选择所述高电位线和所述低电位线中的某一个的电位，并将该所述高电位线和所述低电位线中的某一个的电位输入到所述切断部，

所述切断部在所述第3逆变器的输出比所述第1阈值电位要高的情况下，切断所述控制线和所述低电位线。

6.如权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，

所述前级控制部具有：

第1逆变器，该第1逆变器设置在所述高电位线与所述低电位线之间，根据输入的信号来选择所述高电位线和所述低电位线中的某一个的电位并进行输出；

第2逆变器，该第2逆变器设置在所述高电位线与所述低电位线之间，根据所述第1逆变器的输出，选择所述高电位线和所述低电位线中的某一个的电位，并将该所述高电位线和所述低电位线中的某一个的电位作为所述第2控制信号输入到所述第1连接切换部的MOSFET；及

第3逆变器，该第3逆变器设置在所述高电位线与所述低电位线之间，根据向所述第1逆变器的输入，选择所述高电位线和所述低电位线中的某一个的电位，并将该所述高电位线和所述低电位线中的某一个的电位输入到所述切断部，

所述切断部在所述第3逆变器的输出比所述第1阈值电位要高的情况下，切断所述控制线和所述低电位线。