[发明专利]半导体结构堆叠

说明书

本申请涉及半导体结构堆叠。本文描述了涉及堆叠半导体结构的方法、设备和系统。实例方法包括在工作表面上具有第一硅酸盐材料的电极材料之间堆叠半导体结构。所述方法进一步包括在所述第一硅酸盐材料上形成第一氮化物材料。所述方法进一步包括在所述第一氮化物材料上形成第二硅酸盐材料。所述方法进一步包括在所述第二硅酸盐材料上形成第二氮化物材料。所述方法进一步包括在所述第二氮化物材料上形成第三硅酸盐材料。所述方法进一步包括在所述第三硅酸盐材料上形成第三氮化物材料。所述方法进一步包括使用湿法蚀刻工艺来增加电极材料之间的宽度。所述方法进一步包括使用干法蚀刻工艺来移除所述半导体结构内的一部分材料。

技术领域

本公开大体上涉及半导体装置和方法，并且更具体地涉及半导体结构堆叠。

背景技术

存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部、半导体、集成电路。存在许多不同类型的存储器，其中包括随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、电阻随机存取存储器(ReRAM)和快闪存储器等。某些类型的存储器装置可以是非易失性存储器(例如，ReRAM)并且可以用于需要高存储器密度、高可靠性和低功耗的广泛范围的电子应用。易失性存储器单元(例如，DRAM单元)需要电力来保持其存储的数据状态(例如，经由刷新过程)，这与缺失电力时也能保持其存储的数据状态的非易失性存储器单元(例如，快闪存储器单元)相反。然而，各种易失性存储器单元(例如DRAM单元)可以比各种非易失性存储器单元(例如快闪存储器单元)更快地操作(例如，编程、读取、擦除等)。

发明内容

在一个方面，本申请针对一种用于建立半导体堆叠的方法，其包含：在电极材料之间堆叠半导体结构，所述半导体结构具有：第一硅酸盐材料103、203、303，其在工作表面101、201、301、401上；第一氮化物材料105、205、305、405，其在第一硅酸盐材料103、203、303上；第二硅酸盐材料206、306，其在第一氮化物材料105、205、305、405上；第二氮化物材料208、308、408，其在第二硅酸盐材料206、306上；第三硅酸盐材料212，其在第二氮化物材料208、308、408上；以及第三氮化物材料213、313、413，其在第三硅酸盐材料212上；使用湿法蚀刻工艺来增加电极材料132、232、332、432之间的宽度；以及使用干法蚀刻工艺移除所述半导体结构内的一部分材料。

在另一个方面，本申请针对一种用于建立半导体堆叠的方法，其包含：图案化电极材料之间的半导体结构，所述半导体结构具有在工作表面(例如，氮化物工作表面)上的第一硅酸盐材料103、203、303和在第一硅酸盐材料103、203、303上的第一氮化物材料105、205、305、405；使用干法蚀刻工艺蚀刻第一氮化物材料105、205、305、405；图案化在第一氮化物材料105、205、305、405上的第二硅酸盐材料206、306、在第二硅酸盐材料206、306上的第二氮化物材料208、308、408、在第二氮化物材料208、308、408上的第三硅酸盐材料212、在第三硅酸盐材料212上的第三氮化物材料213、313、413；使用湿法蚀刻工艺来增加电极材料132、232、332、432之间的宽度；以及使用干法蚀刻工艺移除第三硅酸盐材料212和第三氮化物材料213、313、413的一部分。