[发明专利]MEMS传感器微桥桥面的制作方法

说明书

一种MEMS传感器微桥桥面的制作方法，其包括如下步骤：形成所述MEMS传感器的微桥；在所述MEMS传感器的微桥上形成释放保护层；在所述MEMS传感器的微桥上形成释放保护层和敏感层，所述敏感层中形成有台阶凹槽；所述台阶凹槽的底部停止在所述释放保护层上；其中，所述敏感层的台阶凹槽中填充介质层，并平坦化以使所述敏感层和所述介质层的表面同高度。因此，本发明避免了由于台阶高度过大且侧壁倾斜角度不够引起的金属电极层残留问题。

技术领域

本发明属于集成电路设计领域，尤其涉及一种MEMS传感器微桥桥面的制作方法。

背景技术

微机电系统(Microelectro Mechanical Systems，MEMS)传感器是采用微电子和微机械加工技术制造出来的新型传感器。与传统的传感器相比，它具有体积小、重量轻、成本低、功耗低、可靠性高、适于批量化生产、易于集成和实现智能化的特点。同时，在微米量级的特征尺寸使得它可以完成某些传统机械传感器所不能实现的功能。

应用于红外探测器产品的MEMS传感器，其工艺微桥表面一般带有较大的图形台阶和表面不平整度，如果该台阶比较直，后续成膜时，台阶侧壁的薄膜在垂直方向上的厚度较厚，会导致后续去除侧壁薄膜不充分，引起残留及系列相关工艺问题。

请参阅图1，图1所示为采用现有技术中红外探测器MEMS传感器的微桥桥面的制作方法流程图，如图1所示，该制作方法包括如下步骤：

步骤S01：形成所述MEMS传感器的微桥；在所述MEMS传感器的微桥上形成释放保护层在释放保护层上形成敏感层，刻蚀所述敏感层形成具有台阶凹槽的敏感层；其中，所述台阶凹槽的底部停止在所述释放保护层上；

步骤S02：在所述敏感层沉积一金属薄膜(Ti)层；

步骤S03：在金属薄膜(Ti)层上沉积一氮化钽(TiN)层；

步骤S04：去除所述台阶凹槽一侧顶部和所述台阶凹槽的金属薄膜(Ti)层和氮化钽(TiN)层，然而，该步骤完成后，往往会在所述台阶凹槽的侧壁形成有侧壁残留物(金属薄膜Ti和氮化钽TiN)。

如图1所示，上述步骤完成后，所述台阶凹槽另一侧顶部和该侧侧壁的交界处，金属薄膜Ti和氮化钽TiN仅部分损失，即所述台阶凹槽另一侧顶部和该侧侧壁的交界处仅部分露出敏感层，也就是说，上述工艺步骤完成后，在所述台阶凹槽会形成侧壁残留物(金属薄膜Ti和氮化钽TiN)，该残留物会引起器件短路等问题，并引起白斑/亮点(图1中白色亮点所示)等失效和输出异常。

发明内容

本发明的目的在于提供一种MEMS传感器微桥桥面的制作方法，为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种MEMS传感器微桥桥面的制作方法，其包括如下步骤：

步骤S1：形成所述MEMS传感器的微桥；在所述MEMS传感器的微桥上形成释放保护层；

步骤S2：在所述MEMS传感器的微桥上形成释放保护层和敏感层，所述敏感层中形成有台阶凹槽；所述台阶凹槽的底部停止在所述释放保护层上；其中，所述敏感层的台阶凹槽中填充介质层，并平坦化以使所述敏感层和所述介质层的表面同高度。

优选地，所述介质层为非晶碳层或多孔硅层。

优选地，所述介质层为非晶碳层，所述步骤S2具体包括如下步骤：在所述MEMS传感器的微桥上形成释放保护层，在释放保护层上形成敏感层，刻蚀所述敏感层形成具有台阶凹槽的敏感层；其中，所述台阶凹槽的底部停止在所述释放保护层上；将所述敏感层的台阶凹槽中填充所述非晶碳层，并平坦化以使所述敏感层和所述非晶碳层的表面同高度。

优选地，所述步骤S2具体包括如下步骤：