[发明专利]一种磷化钴纳米线阵列材料及其应用

权利要求书

1.一种磷化钴纳米线阵列材料，其特征在于，通过以下方法制备：

1)将泡沫镍置于1-5mol/L的盐酸中浸泡5-20min，去除表面杂质，将处理后的泡沫镍置于装有水热溶液的聚四氟乙烯内胆中，所述水热溶液的组成为：1-10mmol/L Co(NO₃)₂·6H₂O、2-20mmol/L NH₄F和5-50mmol/L CO(NH₂)₂，将聚四氟乙烯内胆放入反应釜中，控制水热温度100-180℃和水热时间2-10h，反应完成后冷却至室温，取出后用去离子水和乙醇洗净、冷风吹干后即得到钴纳米线阵列覆盖的泡沫镍；

2)将覆盖有钴纳米线阵列的泡沫镍放于瓷舟中置于管式炉的下游，将磷化剂NaH₂PO₂·H₂O放于瓷舟中置于管式炉的上游，在Ar氛围下进行热处理，升温速度为1-5℃/min，退火温度为200-500℃，保温时间为0.5-3h；退火完成后，即得到磷化钴纳米线阵列材料。

2.如权利要求1所述的磷化钴纳米线阵列材料，其特征在于，步骤1)中，盐酸浓度为2-4mol/L，浸泡时间为10-20min。

3.如权利要求1或2所述的磷化钴纳米线阵列材料，其特征在于，步骤1)中，水热溶液的组成为：1-5mmol/L Co(NO₃)₂·6H₂O、5-10mmol/L NH₄F和10-30mmol/L CO(NH₂)₂。

4.如权利要求1或2所述的磷化钴纳米线阵列材料，其特征在于，步骤1)中，水热温度为120-160℃，水热时间为3-8h。

5.如权利要求1或2所述的磷化钴纳米线阵列材料，其特征在于，步骤2)中，磷化剂NaH₂PO₂·H₂O的用量为0.5-5g/L。

6.如权利要求1或2所述的磷化钴纳米线阵列材料，其特征在于，步骤2)中，磷化剂NaH₂PO₂·H₂O的用量为1-3g/L。

7.如权利要求6所述的磷化钴纳米线阵列材料，其特征在于，磷化剂NaH₂PO₂·H₂O的用量为1g/L。

8.如权利要求1或2所述的磷化钴纳米线阵列材料，其特征在于，步骤2)中，热处理的升温速度为2-4℃/min，退火温度为300-400℃，退火时间为1-2h。

9.如权利要求8所述的磷化钴纳米线阵列材料，其特征在于，升温速度为2℃/min，退火温度为300℃，退火时间为2h。

10.权利要求1-9任一项所述磷化钴纳米线阵列材料作为电催化析氢电极的应用。