[发明专利]一种碳纳米管导电薄膜的制作方法、显示面板和显示装置

说明书

本申请公开了一种碳纳米管导电薄膜的制作方法、显示面板和显示装置。碳纳米管导电薄膜的制作方法中，包括步骤：形成介孔二氧化硅；通过原子层沉积技术在介孔二氧化硅孔道内沉积催化层；将孔道内沉积有催化层的介孔二氧化硅制作成介孔二氧化硅薄膜；通过化学气相沉积技术在介孔二氧化硅薄膜的孔道内通入碳源前驱体，在催化层的催化下发生反应形成碳纳米管薄膜；去除碳纳米管薄膜中的介孔二氧化硅和催化层，形成透明的碳纳米管导电薄膜。本申请通过结合原子层沉积技术和化学气相沉积技术得到致密性和柔韧性优良的碳纳米管导电薄膜。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种碳纳米管导电薄膜的制作方法、显示面板和显示装置。

背景技术

随着电子工业的飞速发展，各种科技产品层出不穷，其中显示面板、触板、太阳能电池等领域必须的一种材料是透明导电薄膜。目前，主流的透明导电薄膜材料是氧化铟锡(Indium Tin Oxides，ITO)薄膜，ITO具有导电性和透明性，使得它在各种相关领域得到了广泛应用。

但是，随着人们对于柔性电子器件的追求逐渐成为潮流，ITO的柔韧性难以满足柔性电子器件的需求，故而，如何生产得到柔韧性良好的透明导电薄膜成为亟待解决的技术问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种碳纳米管导电薄膜的制作方法、显示面板和显示装置，以获得柔韧性良好的透明导电薄膜。

本申请公开了一种碳纳米管导电薄膜的制作方法，包括步骤：

形成介孔二氧化硅；

通过原子层沉积技术在介孔二氧化硅孔道内沉积催化层；

将孔道内沉积有催化层的介孔二氧化硅制作成介孔二氧化硅薄膜；

通过化学气相沉积技术在介孔二氧化硅薄膜的孔道内通入碳源前驱体，在催化层的催化下发生反应形成碳纳米管薄膜；以及

去除碳纳米管薄膜中的介孔二氧化硅和催化层，形成透明的碳纳米管导电薄膜。

可选的，所述形成介孔二氧化硅的步骤包括子步骤：

将三嵌段共聚物溶于去离子水中，形成第一混合溶液；

在第一混合溶液中加入盐酸或硫酸溶液，形成第二混合溶液，所述第二混合溶液的PH值在3到6范围内；

在第二混合溶液中加入正硅酸已酯，反应后形成第三混合溶液；

将第三混合溶液置于反应容器中充分反应形成第四混合溶液；以及

将第四混合溶液干燥后煅烧形成固态的介孔二氧化硅。

可选的，所述将第四混合溶液干燥后煅烧形成固态的介孔二氧化硅的步骤中，包括子步骤：将第四混合溶液干燥后煅烧形成固态且孔径在2到10纳米之间的介孔二氧化硅。

可选的，所述通过原子层沉积技术在介孔二氧化硅孔道内沉积催化层的步骤包括子步骤：

将介孔二氧化硅置于原子层沉积反应室中，然后通入催化层气相前驱体；

用惰性气体进行吹扫；

通入还原气体；

用惰性气体进行吹扫；以及

重复上述的步骤在所述介孔二氧化硅的孔道内沉积催化层。

可选的，所述催化层气相前驱体为气相的二茂镍，所述催化层为金属镍催化层。

可选的，所述将孔道内沉积有催化层的介孔二氧化硅制作成介孔二氧化硅薄膜的步骤包括子步骤：

将孔道内沉积有催化层的介孔二氧化硅加入到有机醇溶液中，得到第五混合溶液；