[发明专利]SLC写性能提升方法、装置、计算机设备及存储介质

权利要求书

1.SLC写性能提升方法，其特征在于，包括：

获取来自主机的写数据命令；

根据写数据命令分配DRAM或SRAM以进行数据的写入和读取，以得到待写入数据；

将所述待写入数据写入Nand Flash中；

所述根据写数据命令分配DRAM或SRAM以进行数据的写入和读取，以得到待写入数据，包括：

根据所述写数据命令查询写入位置，以得到目标位置；

将所述写数据命令内的数据写入目标位置；

下发Nand Flash写命令，并从所述目标位置中读取对应的数据，以得到待写入数据；

所述根据所述写数据命令查询写入位置，以得到目标位置，包括：

判断所述写数据命令是否是数据写入Nand Flash的方式为SLC的命令；

若所述写数据命令是数据写入Nand Flash的方式为SLC的命令，则分配SRAM为写入位置，以得到目标位置；

若所述写数据命令不是数据写入Nand Flash的方式为SLC的命令，则分配DRAM为写入位置，以得到目标位置。

2.根据权利要求1所述的SLC写性能提升方法，其特征在于，所述下发Nand Flash写命令，并从所述目标位置中读取对应的数据，以得到待写入数据，包括：

下发Nand Flash写命令；

根据所述Nand Flash写命令以及目标位置的地址读取对应的数据，以得到待写入数据。

3.根据权利要求2所述的SLC写性能提升方法，其特征在于，所述将所述待写入数据写入Nand Flash中，包括：

将所述待写入数据写入Nand Flash中相应的物理空间；

更新Nand Flash中的映射表。

4.SLC写性能提升装置，其特征在于，包括：

命令获取单元，用于获取来自主机的写数据命令；

处理单元，用于根据写数据命令分配DRAM或SRAM以进行数据的写入和读取，以得到待写入数据；

写入单元，用于将所述待写入数据写入Nand Flash中；

所述处理单元包括：

位置查询子单元，用于根据所述写数据命令查询写入位置，以得到目标位置；

数据写入子单元，用于将所述写数据命令内的数据写入目标位置；

数据读取子单元，用于下发Nand Flash写命令，并从所述目标位置中读取对应的数据，以得到待写入数据；

所述位置查询子单元包括：

命令判断模块，用于判断所述写数据命令是否是数据写入Nand Flash的方式为SLC的命令；

第一分配模块，用于若所述写数据命令是数据写入Nand Flash的方式为SLC的命令，则分配SRAM为写入位置，以得到目标位置；

第二分配模块，用于若所述写数据命令不是数据写入Nand Flash的方式为SLC的命令，则分配DRAM为写入位置，以得到目标位置。

5.一种计算机设备，其特征在于，所述计算机设备包括存储器及处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至3中任一项所述的方法。

6.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时可实现如权利要求1至3中任一项所述的方法。