[发明专利]一种g-C3有效

专利信息
申请号: 202010745238.2 申请日: 2020-07-29
公开(公告)号: CN111659454B 公开(公告)日: 2022-12-23
发明(设计)人: 贺有周;蒋瑶;谭宇;刘兴燕;徐永港;谭祥国 申请(专利权)人: 重庆工商大学;重庆风之雅环保科技有限公司
主分类号: B01J27/24 分类号: B01J27/24;B01J35/10;C01B3/04
代理公司: 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 代理人: 李杰
地址: 400067 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
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【说明书】:

发明公开了一种g‑C3N4/Ni@C/NiP光催化剂的制备方法及应用。所述制备方法包括如下步骤:(1)将尿素在管式炉中进行加热反应,得到g‑C3N4;(2)将g‑C3N4的甲醇溶液超声分散后,加入Ni(NO3)2·6H2O和2‑甲基咪唑的甲醇溶液,搅拌后再保温,冷却至室温,得到g‑C3N4/ZIF‑Ni;(3)将g‑C3N4/ZIF‑Ni进行煅烧,得到g‑C3N4/Ni@C;(4)将g‑C3N4/Ni@C与NaH2PO2·H2O混合后煅烧,得到g‑C3N4/Ni@C/NiP。本发明制备的g‑C3N4/Ni@C/NiP的产氢量高,制备步骤和制备设备简单、重复性好,具有较大的推广价值。

技术领域

本发明涉及催化剂技术领域,具体涉及一种g-C3N4/Ni@C/NiP光催化剂的制备方法及应用。

背景技术

随着全球气候变暖,对低碳清洁能源的需求迫在眉睫,其中氢能是一种极具发展潜力的清洁能源。光催化剂制氢是一种可持续发展的能源制备方法。在现阶段光催化产氢的催化剂很多,如TiO2,g-C3N4,MOF材料(如ZIF,UIO)。

石墨碳氮化物(g-C3N4)具有二维(2D)分层结构和π共轭体系、适中的能隙(~2.7eV),具有非常合适的半导体带边位置,因此能够满足光解水产氢产氧的热力学要求。然而,g-C3N4也存在低可见光吸收、有限的活性位点和高的电子 -空穴复合率等缺点,使其在光催化中受到一定的限制,光催化产氢效果较差。

为了克服上述不足,目前主要采用贵金属或非贵金属纳米粒子(NPs)修饰 g-C3N4,或者利用各种碳基纳米材料来修饰g-C3N4/金属化合物的相对二元体系,包括石墨烯、GO、RGO等来对g-C3N4进行改性。用于修饰g-C3N4的物质主要以掺杂的方式与g-C3N4结合,其目的是g-C3N4的可见光吸收性能或者降低了电子-空穴的复合率。但是,研究表明,经过掺杂修饰的g-C3N4产氢量仍然较低,不能满足人们对催化剂的需求。

金属-有机框架材料(MOFs)是近十年来发展迅速的一种配位聚合物,具有三维的孔结构,一般以金属离子为连接点,有机配位体支撑构成空间3D延伸,正是因为其比表面积大而受到广泛关注。如何利用金属-有机框架材料(MOFs)结合石墨碳氮化物(g-C3N4),从而获得光催化产氢性能好的光催化剂,还未见报道。

发明内容

针对现有技术存在的上述不足,本发明的目的在于解决现有技术中采用贵金属、非贵金属纳米粒子或者碳基纳米材料来修饰g-C3N4存在价格昂贵、经过掺杂修饰的g-C3N4产氢量较低的问题,提供一种g-C3N4/Ni@C/NiP催化剂的制备方法及应用。

为了解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:

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