[发明专利]钛改性陶瓷及制备方法和陶瓷基金属复合物及复合方法有效
申请号: | 202010745274.9 | 申请日: | 2020-07-29 |
公开(公告)号: | CN111943725B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 王宏;郭方慧;孙宏伟;孟庆海 | 申请(专利权)人: | 沈阳中钛装备制造有限公司 |
主分类号: | C04B41/88 | 分类号: | C04B41/88 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 吴欢燕 |
地址: | 110000 辽宁省沈*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 改性 陶瓷 制备 方法 基金 复合物 复合 | ||
本发明涉及陶瓷加工技术领域,提供一种钛改性陶瓷及制备方法和陶瓷基金属复合物及复合方法。钛改性陶瓷的制备方法,包括:卤化步骤:将卤素物质与钛物质形成卤化物;沉积步骤:通过化学气相沉积法对卤化物进行高温分解形成卤素气体,使卤素气体携带的钛沉积至陶瓷基体表面,以在陶瓷基体表面形成钛改性层,得到钛改性陶瓷。根据本发明实施例的钛改性陶瓷的制备方法,利用卤族元素与钛形成卤化物。在此基础上,通过化学气相沉积法,在陶瓷基体表面形成一层均匀的钛包裹层,也即钛改性层,以得到钛改性陶瓷。该种钛改性陶瓷具有较好的浸润性,进而不论后续通过胶粘方式还是冶金方式和金属板材复合,都可以保证陶瓷基金属复合物具有更好的结合强度。
技术领域
本发明涉及陶瓷加工技术领域,尤其涉及钛改性陶瓷及制备方法和陶瓷基金属复合物及复合方法。
背景技术
20世纪80年代初,日本科学家创意的提出一种“会呼吸金属”,也即金属基陶瓷复合材料,至此开启了金属材料和陶瓷材料复合的新纪元。近年来,虽然国内外专家学者已经探寻出陶瓷与金属复合材料制备的许多新方法,但是两者结合强度不高,熔滴浸润深度不足等诸多原因仍制约着其发展。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出一种钛改性陶瓷制备方法,其采用化学气相沉积法在陶瓷基体表面形成太改性层,提高陶瓷基体对浸渗液的浸润性。
本发明还提出一种钛改性陶瓷。
本发明还提出一种陶瓷和金属的复合方法。
本发明还提出一种陶瓷基金属复合物。
根据本发明第一方面实施例的钛改性陶瓷的制备方法,包括:
卤化步骤:将卤素物质与钛物质形成卤化物;
沉积步骤:通过化学气相沉积法,对卤化物进行高温分解形成卤素气体,使得卤素气体携带的钛沉积至陶瓷基体表面,以在陶瓷基体表面形成钛改性层,得到钛改性陶瓷。
根据本发明实施例的钛改性陶瓷的制备方法,利用卤族元素与钛形成卤化物。在此基础上,通过化学气相沉积法,在陶瓷基体表面形成一层均匀的钛包裹层,也即钛改性层,以得到钛改性陶瓷。该种钛改性陶瓷具有较好的浸润性,进而不论后续通过胶粘方式还是冶金方式和金属板材复合,都可以保证陶瓷基金属复合物具有更好的结合强度。
根据本发明的一个实施例,所述卤化步骤中,所述卤素物质为卤素粉末或者卤素液体,所述钛物质为钛粉,将所述卤素粉末或者所述卤素液体与所述钛粉混合形成卤素钛粉反应堆,在加热条件下使得卤素粉末或者卤素液体与钛发生化合反应形成卤化物。
根据本发明的一个实施例,所述卤化步骤中,将钛粉和液溴按照1:3~1:5的料比混合得到所述卤素钛粉反应堆,或者将钛粉和碘粉按照1:3~1:5的料比混合得到所述卤素钛粉反应堆;采用10℃/min~20℃/min的升温速率对所述卤素钛粉反应堆进行升温,并在500℃~800℃的温度条件下保温40min~60min,形成所述卤化物;
所述沉积步骤中,采用不大于5℃/min的升温速率对所述卤化物进行升温,并在1000℃~1300℃的温度条件下保温60min~80min,得到所述卤素气体携带钛粉蒸发;之后,卤素气体冷却,使得气体当中的钛粉在重力作用下沉积至所述陶瓷基体表面得到所述改性陶瓷。
根据本发明的一个实施例,所述卤化步骤中,将所述卤素物质与所述钛物质放置于电阻炉,并向所述电阻炉通入惰性气体;
所述沉积步骤中,将卤素气体冷却之后排出所述电阻炉。
根据本发明的一个实施例,还包括:
陶瓷坯体制备步骤:将陶瓷粉经二次球磨研细、增强相添加预混、成品干料混合、入塔造粒、冷压成型以及真空高温烧结程序,得到异型陶瓷坯体,其中,所述陶瓷粉为稀土氧化物和碳化硼基复合得到的中间相增韧陶瓷粉;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳中钛装备制造有限公司,未经沈阳中钛装备制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010745274.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。