[发明专利]杂化结构的显示面板的制备方法及显示面板在审
申请号: | 202010746005.4 | 申请日: | 2020-07-29 |
公开(公告)号: | CN111710711A | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 邹建华;彭曾一;刘文聪;陶洪;徐苗;李民;王磊 | 申请(专利权)人: | 广州新视界光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 510700 广东省广州市高新技术*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 显示 面板 制备 方法 | ||
本发明公开了一种杂化结构的显示面板的制备方法及显示面板。显示面板的制备方法包括:提供驱动背板,驱动背板包括蓝色子像素区、绿色子像素区和红色子像素区,其中,一蓝色子像素区、一绿色子像素区和一红色子像素区构成一像素单元所占区域,同一行像素单元所占区域中,不同像素单元所占区域中同颜色子像素区相邻设置;同一列像素单元所占区域中,不同像素单元区域中同颜色子像素区相邻设置;在驱动背板上形成LED电极、第一反射电极和第二反射电极;将蓝光LED芯片转移至驱动背板并将蓝光LED芯片与LED电极对应电连接;形成绿光有机发光器件和红光有机发光器件。本发明实施例提供的技术方案,提高了巨量转移LED芯片的转移节拍以及良率。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种杂化结构的显示面板的制备方法及显示面板。
背景技术
Micro-LED显示技术具有功耗低、亮度高、色彩饱和度高、反应速度快、寿命较长和效率较高等优点,被认为是最具竞争力的下一代显示技术。
在Micro-LED彩色化方案中,一般选用巨量转移技术来几百万甚至千万颗LED芯片转移至驱动背板上。但是现有的巨量转移过程转移节拍较低,导致良率很低。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的是提出一种杂化结构的显示面板的制备方法及显示面板,以提高巨量转移LED芯片的转移节拍以及良率。
本发明实施例提供了一种杂化结构的显示面板的制备方法,包括:
提供驱动背板,所述驱动背板包括蓝色子像素区、绿色子像素区和红色子像素区,其中,一所述蓝色子像素区、一所述绿色子像素区和一所述红色子像素区构成一像素单元所占区域,同一行所述像素单元所占区域中,不同像素单元所占区域中同颜色子像素区相邻设置;同一列所述像素单元所占区域中,不同像素单元所述区域中同颜色子像素区相邻设置;
在驱动背板上形成LED电极、第一反射电极和第二反射电极,其中所述LED电极位于所述蓝色子像素区,所述第一反射电极位于所述绿色子像素区,所述第二反射电极位于所述红色子像素区;
将蓝光LED芯片转移至所述驱动背板并将所述蓝光LED芯片与所述LED电极对应电连接;
形成绿光有机发光器件和红光有机发光器件,其中,所述绿光有机发光器件与所述第一反射电极电连接,所述红光有机发光器件与所述第二反射电极电连接。
可选地,同一所述像素单元所占区域中,所述绿色子像素区和所述红色子像素区分布在同一行;所述蓝色子像素区和所述绿色子像素区分布在分布在不同行。
可选地,在驱动背板上形成LED电极、第一反射电极和第二反射电极包括:
在所述驱动背板上溅射一层反射电极层;
采用光刻工艺对所述反射电极层进行图案化,形成所述LED电极、所述第一反射电极和所述第二反射电极。
可选地,所述反射电极层包含银层、铝层或钼层的复合电极层。
可选地,将蓝光LED芯片转移至驱动背板并将蓝光LED芯片与LED电极对应电连接包括:
在驱动背板上形成保护层并去除位于蓝色子像素区的保护层,且保护层完全覆盖第一反射电极和第二反射电极;
将蓝光LED芯片转移至驱动背板并将蓝光LED芯片与LED电极对应电连接;
将蓝光LED芯片转移至驱动背板并将蓝光LED芯片与LED电极对应电连接之后包括:
去除所述保护层。
可选地,将蓝光LED芯片转移至所述驱动背板并将所述蓝光LED芯片与所述LED电极对应电连接之前包括:
在所述第二反射电极上形成光学调节层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的