[发明专利]一种基于MOS管底层去除光阻的方法在审
| 申请号： | 202010746616.9 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN111952164A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 王云鹏 | 申请（专利权）人： | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;G03F7/38 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 孙玉营 |
| 地址： | 215100 江苏省苏州市吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mos 底层 去除 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于MOS管底层去除光阻的方法，其特征在于，所述方法包括：
在向所述MOS管结构进行掺杂离子之前，且所述离子的浓度超过1015ion/cm2，利用紫外光照射晶圆上的光刻胶，使光刻胶发生光化学反应将分子长链分解为短链；
在向所述MOS管结构掺杂离子之后，利用干法灰化工艺清除所述晶圆上的光刻胶；
利用湿法工艺清除所述晶圆上的残余光刻胶。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用紫外光照射晶圆上的光刻胶，包括：
设定紫外光照射时间为20-40s。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述干法灰化工艺包括：
将所述晶圆放入干法灰化反应腔内的支撑管脚上，所述晶圆处于悬空状态。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述干法灰化工艺还包括：
设定干法灰化工艺的反应时间为30-50s；
向所述干法灰化反应腔通入不含氟的离子气体。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法工艺包括：
采用浓硫酸和双氧水的混合溶液，所述混合溶液中浓硫酸和双氧水的配比为3:1到7：1；
将所述晶圆浸泡在所述混合溶液中，浸泡20-40s，并保持所述混合溶液的温度为110-160℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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