[发明专利]存储位元的制备方法及MRAM的制备方法

权利要求书

1.一种存储位元的制备方法，包括形成磁隧道结的步骤，其特征在于，在形成所述磁隧道结的步骤之后，所述制备方法还包括以下步骤：

对所述磁隧道结的侧壁进行气体钝化处理，以减少所述侧壁表面的悬挂键。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成所述隧道结的步骤包括：

在底电极上顺序形成隧道结材料层和第一掩膜材料层；

将所述第一掩膜材料层图形化，以形成第一掩膜层；

通过所述第一掩膜层对所述隧道结材料层进行刻蚀，以形成所述磁隧道结。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，对所述隧道结材料层进行离子束刻蚀，以形成所述磁隧道结，优选采用惰性气体进行所述离子束刻蚀。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，对所述隧道结材料层进行反应离子刻蚀，以形成所述磁隧道结，优选所述反应离子刻蚀的等离子体源选自电容耦合源、电感耦合源和电子回旋共振源中的任一种，优选所述反应离子刻蚀的反应气体为氟基气体和/或氯基气体。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用包括钝化气体的钝化用气体对所述磁隧道结进行气体钝化处理，优选所述钝化气体选自氢气、氘气、氨气和氘化氨中的任一种或多种。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述钝化用气体还包括载气，优选所述载气氦气、氖气、氩气、氙气和氮气中的任一种或多种。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，采用所述钝化气体形成的等离子体对所述磁隧道结进行气体钝化处理，优选所述等离子体的功率为10～200W，优选所述钝化气体的流量为10～500sccm，优选所述等离子体的压强为1～50Torr，优选所述气体钝化处理的温度为20～300℃，优选所述气体钝化处理的时间为10～500s。

8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在对所述磁隧道结进行气体钝化处理的步骤之后，所述制备方法还包括以下步骤：

在所述底电极上形成覆盖所述隧道结和所述第一掩膜层的封装层。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述底电极上沉积绝缘介质材料，以形成所述封装层，优选所述绝缘介质材料选自氧化硅、氮化硅、氮化碳、碳氮化硅、氮氧化硅和氧化铝中的任一种或多种，优选采用化学气相沉积或原子层沉积形成所述封装层。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述封装层的厚度为5～50nm，优选在沉积所述绝缘介质材料的过程中，或在沉积所述绝缘介质材料之后，所述制备方法还包括对绝缘介质材料表面进行气体钝化处理的步骤。

11.一种MRAM的制备方法，包括形成至少一个存储位元的步骤，其特征在于，采用权利要求1至10中任一项所述的制备方法形成所述存储位元。