[发明专利]一种表面生长氮化硼纳米珊瑚的超疏水过滤网的制备方法有效
申请号: | 202010748192.X | 申请日: | 2020-07-30 |
公开(公告)号: | CN111876750B | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 李艳娇;秦忠宝;刘延飞;田仁慧;侯立安 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军火箭军工程大学 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/46;B01D39/12;B82Y40/00 |
代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 马小燕 |
地址: | 710025 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 表面 生长 氮化 纳米 珊瑚 疏水 过滤网 制备 方法 | ||
1.一种表面生长氮化硼纳米珊瑚的超疏水过滤网的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
步骤一、将氧化硼和催化剂按照1:(0.5~1.5)的摩尔比混合后,在保护气氛中采用行星式球磨机进行球磨处理0.5h以上,得到球磨粉末;所述球磨粉末的粒径为2μm~10μm;所述催化剂中含有铁元素;
步骤二、将步骤一中得到的球磨粉末放置于方形瓷舟中,然后在方形瓷舟上部中央位置放置金属丝网进行退火处理,在金属丝网上沉积氮化硼纳米珊瑚,得到表面生长氮化硼纳米珊瑚的超疏水过滤网;所述金属丝网为表面沉积有含铁金属薄膜的金属多孔材料、陶瓷丝网或陶瓷多孔材料,所述金属丝网中含有铁元素,且金属丝网的面积小于方形瓷舟的面积;所述退火处理的过程为:首先通入保护气氛,在保护气氛中以10℃/min的速率升温至300℃~500℃后停止通入保护气氛,然后通入氨气,继续升温至1175℃~1275℃保温2h~12h,再停止通入氨气,在惰性气体保护条件下自然冷却至室温。
2.根据权利要求1所述的一种表面生长氮化硼纳米珊瑚的超疏水过滤网的制备方法,其特征在于,步骤一中所述催化剂为铁粉。
3.根据权利要求1所述的一种表面生长氮化硼纳米珊瑚的超疏水过滤网的制备方法,其特征在于,步骤一中所述保护气氛为氮气、氦气、氖气、氩气、氪气或氙气。
4.根据权利要求1所述的一种表面生长氮化硼纳米珊瑚的超疏水过滤网的制备方法,其特征在于,步骤二中所述保护气氛为氦气、氖气、氩气、氪气或氙气。
5.根据权利要求1所述的一种表面生长氮化硼纳米珊瑚的超疏水过滤网的制备方法,其特征在于,步骤二中所述保护气氛的流速为20mL/min~200mL/min,所述氨气的流速为20mL/min~200mL/min。
6.根据权利要求1所述的一种表面生长氮化硼纳米珊瑚的超疏水过滤网的制备方法,其特征在于,步骤二中所述金属薄膜还含有铬、镍、铝和锰中的一种或两种以上。
7.根据权利要求1所述的一种表面生长氮化硼纳米珊瑚的超疏水过滤网的制备方法,其特征在于,步骤二中所述在金属丝网上沉积的氮化硼为表面垂直生长有浓密氮化硼纳米片的珊瑚状氮化硼微纳米结构,该结构的内径为100nm~150nm,外径为400nm~500nm,长度为10μm~200μm,氮化硼纳米片的长度为50nm~300nm,高度为50nm~200nm,厚度为5nm~10nm。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的