[发明专利]抑制可控型采样场效应晶体管负温度特性的器件在审
| 申请号： | 202010748363.9 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111682070A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;胡汶金;赵一尚;郭乔;杨尚翰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抑制 可控 采样 场效应 晶体管 温度 特性 器件 | ||
1.一种抑制可控型采样场效应晶体管负温度特性的器件，其特征在于：包括位于器件最底部的P型衬底(1)、位于P型衬底(1)右侧上表面的P型重掺杂一区(3)以及位于P型掺杂区(3)左侧的N型漂移区(2)；所述N型漂移区(2)内部上表面从左到右依次设置N型半导体漏区(4)、P型双重降低表面电场(Double RESURF)区(5)、P型体区(6)、N型重掺杂区(8)和P型阱区(9)；所述P型体区(6)内部表面下方具有P型重掺杂二区(7)；所述P型阱区(9)内部表面下方具有N型轻掺杂电阻区(10)；所述P型Double RESURF区(5)上表面具有氧化层(13)；所述氧化层(13)中具有第一多晶硅(11)和第二多晶硅(12)构成的场板结构；所述N型半导体漏区(4)上表面和第一多晶硅(11)之间通过漏极金属(14)连接；所述P型重掺杂二区(7)上表面和第二多晶硅(12)之间通过栅极金属(15)连接；所述N型重掺杂区(8)上表面和N型轻掺杂电阻区(10)上表面之间通过导线金属(16)连接；所述N型轻掺杂电阻区(10)上表面具有位于导线金属(16)右侧的电流感测电极(17)，电流感测电极(17)与N型轻掺杂电阻区(10)右端相连；所述P型重掺杂一区(3)上表面具有位于电流感测电极(17)右侧的衬底金属(18)。
2.如权利要求1所述的一种抑制可控型采样场效应晶体管负温度特性的器件，其特征在于：位于P型双重降低表面电场(Double RESURF)区(5)上方的氧化层(13)为利用局部氧化工艺实现的场氧化层，位于P型衬底(1)、N型漂移区(2)以及利用局部氧化工艺实现的场氧化层的上方的氧化层(13)为利用硼磷硅玻璃工艺实现的阻挡氧化层。
3.如权利要求1所述的一种抑制可控型采样场效应晶体管负温度特性的器件，其特征在于：N型或P型半导体为单晶硅、碳化硅或者氮化镓。
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