[发明专利]集成反馈MOS结构的可控型采样场效应晶体管器件

权利要求书

1.一种集成反馈MOS结构的可控型采样场效应晶体管器件，其特征在于：包括位于器件最底部的P型衬底(1)、位于P型衬底(1)右侧上表面的P型重掺杂一区(3)以及位于P型重掺杂一区(3)左侧的N型漂移区(2)；所述N型漂移区(2)内部上表面从左到右依次设置N型半导体漏区(4)、P型双重降低表面电场(Double RESURF)区(5)、P型第一体区(6)、N型重掺杂一区(8)和P型第二体区(9)；所述P型第一体区(6)内部表面下方具有P型重掺杂二区(7)；所述P型第二体区(9)内部表面下方从左到右依次设置N型重掺杂二区(10)、N型重掺杂三区(11)和P型重掺杂三区(12)；所述P型Double RESURF区(5)上表面与氧化层(16)接触；所述氧化层(16)中具有第一多晶硅(13)和第二多晶硅(14)构成的场板结构以及多晶硅栅极(15)；所述N型半导体漏区(4)上表面和第一多晶硅(13)之间具有漏极金属(17)连接；所述P型重掺杂二区(7)上表面、第二多晶硅(14)上表面、N型重掺杂三区(11)上表面和P型重掺杂三区(12)上表面都连接金属(18)；所述N型重掺杂一区(8)上表面、N型重掺杂二区(10)上表面和多晶硅栅极(15)之间通过导线金属(19)连接；所述P型重掺杂一区(3)上表面具有衬底金属(20)。

2.如权利要求1所述的一种集成反馈MOS结构的可控型采样场效应晶体管器件，其特征在于：位于P型双重降低表面电场(Double RESURF)区(5)上方的氧化层(16)为利用局部氧化工艺实现的场氧化层，位于P型衬底(1)、N型漂移区(2)以及利用局部氧化工艺实现的场氧化层的上方的氧化层(16)为利用硼磷硅玻璃工艺实现的阻挡氧化层。

3.如权利要求1所述的一种集成反馈MOS结构的可控型采样场效应晶体管器件，其特征在于：金属(18)既是栅极金属，又是电流感测电极金属。

4.如权利要求1所述的一种集成反馈MOS结构的可控型采样场效应晶体管器件，其特征在于：N型半导体或P型半导体为单晶硅、或碳化硅或者氮化镓。