[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一栅电极，设置在基板上并在关于所述基板的上表面的第一水平方向上延伸；

第一栅极接触和虚设栅极接触，在所述第一水平方向上彼此间隔开并与所述第一栅电极的顶表面接触；

第一互连线，在关于所述基板的所述上表面的与所述第一水平方向不同的第二水平方向上延伸，并在关于所述基板的所述上表面的垂直方向上与所述第一栅极接触重叠；以及

电压发生器，配置为产生第一电压并通过所述第一互连线和所述第一栅极接触将所述第一电压施加到所述第一栅电极，并且

其中所述虚设栅极接触通过所述第一栅电极接收所述第一电压。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

栅极通路，设置在所述第一栅极接触上并在所述垂直方向上插置在所述第一互连线和所述第一栅电极之间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

设置在所述虚设栅极接触上的虚设栅极通路；和

设置在所述虚设栅极通路上的虚设互连线，

其中所述虚设互连线在所述第二水平方向上延伸，

其中所述虚设互连线在所述第一水平方向上与所述第一互连线水平地间隔开，并且

其中所述虚设栅极接触在所述垂直方向上与所述虚设互连线重叠。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中所述虚设互连线在所述第二水平方向上延伸并在所述第一水平方向上与所述第一互连线间隔开，并且

其中所述第一电压通过所述第一栅电极、所述虚设栅极接触和所述虚设栅极通路被施加到所述虚设互连线。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：

器件隔离层，设置在所述基板中以限定有源区域，

其中所述虚设栅极通路在所述垂直方向上与所述有源区域重叠，或者在所述第一水平方向上与所述有源区域相邻。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

有源鳍，在所述垂直方向上从所述基板突出并具有比所述器件隔离层的顶表面高的顶表面，

其中所述虚设栅极通路在所述垂直方向上与所述有源鳍重叠。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：

在所述垂直方向上依次堆叠在所述有源鳍上的多个沟道图案，

其中所述第一栅电极配置为围绕所述多个沟道图案中的每个。

8.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

层间绝缘层，

其中所述第一互连线和所述栅极通路设置在所述层间绝缘层中，

其中所述栅极通路与所述第一互连线的底表面和所述第一栅极接触的所述顶表面接触，

其中所述层间绝缘层与所述虚设栅极接触的顶表面接触，并且

其中所述第一栅极接触的所述顶表面和所述虚设栅极接触的所述顶表面位于在所述垂直方向上从所述基板的所述上表面起的相同高度处。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：

第二栅电极，设置在所述基板上并在所述第一水平方向上延伸，

其中所述第二栅电极在与所述第一水平方向交叉的所述第二水平方向上与所述第一栅电极间隔开；

第二栅极接触，设置在所述第二栅电极上；

第三栅电极，在所述第一水平方向上与所述第二栅电极间隔开；以及

栅极分隔图案，插置在所述第二栅电极的端部和所述第三栅电极的端部之间。