[发明专利]样本处理装置

权利要求书

1.一种样本处理装置，其特征在于，所述样本处理装置包括装置本体，所述装置本体上具有样本放置部、试剂放置部和反应孔，所述样本放置部、所述试剂放置部和所述反应孔设在所述装置本体的上且沿着第一方向排列设置。

2.如权利要求1所述的样本处理装置，其特征在于，所述样本放置部设置于所述装置本体的侧面，所述侧面垂直于所述第一方向；

所述样本放置部包括放置腔，所述放置腔的开口朝上设置。

3.如权利要求2所述的样本处理装置，其特征在于，所述放置腔的侧壁开设有缺口，所述缺口与所述放置腔连通，所述缺口朝向所述第一方向。

4.如权利要求1所述的样本处理装置，其特征在于，所述试剂放置部和所述反应孔设置于所述装置本体的上表面。

5.如权利要求4所述的样本处理装置，其特征在于，所述样本处理装置还包括磁吸组件，所述磁吸组件可升降设置于所述反应孔的下方；

所述磁吸组件用于在所述反应孔内的液体反应结束后将所述反应孔内的磁珠吸到所述反应孔的底部。

6.如权利要求5所述的样本处理装置，其特征在于，所述磁吸组件包括永磁体和升降组件，所述永磁体安装在所述升降组件上，所述升降组件用于带动所述永磁体升降以使所述永磁体接近或远离所述反应孔。

7.如权利要求4所述的样本处理装置，其特征在于，所述样本处理装置还包括温控件，所述温控件用于对所述反应孔内的液体进行温度控制。

8.如权利要求1所述的样本处理装置，其特征在于，所述样本处理装置还包括扩增部，所述扩增部具有多个沿所述第一方向设置的扩增槽，所述扩增槽的开口设在所述装置本体的上表面，所述扩增槽用于放置所述反应孔内得到的反应产物。

9.如权利要求1所述的样本处理装置，其特征在于，所述样本处理装置还包括吸头放置槽，所述吸头放置槽的开口设在所述装置本体的上表面且与所述反应孔沿所述第一方向排列。

10.如权利要求1所述的样本处理装置，其特征在于，所述样本处理装置还包括废液槽，所述废液槽设在所述装置本体的上表面且与所述反应孔沿所述第一方向排列，所述废液槽用于放置所述反应孔内产生的反应废液。

11.如权利要求1所述的样本处理装置，其特征在于，所述样本处理装置包括导滑组件，所述导滑组件设置于所述装置本体的下底面，所述导滑组件用于与外部的导轨相配合滑动。

12.如权利要求1所述的样本处理装置，其特征在于，所述反应孔包括上部容置腔和下部容置腔，所述下部容置腔自上向下呈向内收紧结构，所述上部容置腔与所述下部容置腔为弧形面过渡。