[发明专利]用于PECVD设备的原位清洗方法及对应的PECVD设备

权利要求书

1.一种用于PECVD设备的原位清洗方法，所述PECVD设备包括反应腔室和射频发生器，所述方法包括以下步骤：

第一步骤，向所述反应腔室通入含氟清洗气体，将所述反应腔室的压强调节至第一压强，开启所述射频发生器并持续第一预设时间；

第二步骤，持续向所述反应腔室通入含氟清洗气体，将所述反应腔室的压强调节至第二压强，保持所述射频发生器持续开启第二预设时间；

第三步骤，持续向所述反应腔室通入含氟清洗气体，将所述反应腔室的压强调节至第三压强，保持所述射频发生器持续开启第三预设时间；

第四步骤，持续向所述反应腔室通入含氟清洗气体，将所述反应腔室的压强调节至第四压强，保持所述射频发生器持续开启第四预设时间；以及

第五步骤，持续向所述反应腔室通入含氟清洗气体，将所述反应腔室的压强调节至第五压强，保持所述射频发生器持续开启第五预设时间；

其中所述第一压强、第二压强、第三压强、第四压强和第五压强从大到小依次减小。

2.根据权利要求1所述的原位清洗方法，其特征在于，所述第一压强为0.55mbar～小于0.65mbar，所述第二压强为0.45mbar～小于0.55mbar，所述第三压强为0.35mbar～小于0.45mbar；所述第四压强为0.25mbar～小于0.35mbar；所述第五压强为0.15mbar～小于0.25mbar。

3.根据权利要求1所述的原位清洗方法，其特征在于，在所述第一步骤至第五步骤中，通过所述射频发生器将含氟清洗气体电离成含氟等离子体，所述含氟等子体与覆盖在所述反应腔室内壁和设置在所述反应腔室内的载板表面上的硅膜层发生反应，所述反应腔室内壁和载板表面的面积总和不小于500mm×500mm；所述硅膜层包括本征多晶硅、本征非晶硅、磷/硼掺杂的多晶硅、磷/硼掺杂的非晶硅、硅碳膜以及硅氧膜。

4.根据权利要求3所述的原位清洗方法，其特征在于，在第二步骤中，所述含氟等子体经过所述第一预设时间和第二预设时间对所述反应腔室内壁和载板表面的覆盖面积达两者总面积的60％～小于70％，第一步骤中的含氟清洗气体流量和射频发生器功率与第二步骤中的含氟清洗气体流量和射频发生器功率对应相同。

5.根据权利要求4所述的原位清洗方法，其特征在于，在第三步骤中，所述含氟等子体经过所述第一预设时间、第二预设时间和第三预设时间对所述反应腔室内壁和载板表面的覆盖面积达两者总面积的70％～小于85％，第二步骤中的含氟清洗气体流量和射频发生器功率与第三步骤中的含氟清洗气体流量和射频发生器功率对应相同。

6.根据权利要求5所述的原位清洗方法，其特征在于，在第四步骤中，所述含氟等子体经过所述第一预设时间、第二预设时间、第三预设时间和第四预设时间对所述反应腔室内壁和载板表面的覆盖面积达两者总面积的85％～小于100％，第三步骤中的含氟清洗气体流量和射频发生器功率与第四步骤中的含氟清洗气体流量和射频发生器功率对应相同或不同。

7.根据权利要求6所述的原位清洗方法，其特征在于，在第五步骤中，所述含氟等子体在对所述反应腔室内壁和载板表面100％全部覆盖的情况下对两者进行清洗，第四步骤中的含氟清洗气体流量和射频发生器功率与第五步骤中的含氟清洗气体流量和射频发生器功率对应相同或不同。

8.根据权利要求1所述的原位清洗方法，其特征在于，所述第一预设时间、第二预设时间、第三预设时间、第四预设时间和第五预设时间五者为全部相同，或者所述第一预设时间、第二预设时间、第三预设时间、第四预设时间和第五预设时间中至少两者不相同。