[发明专利]具有微凸块的半导体器件及其测试方法在审
申请号: | 202010749399.9 | 申请日: | 2020-07-30 |
公开(公告)号: | CN113192855A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 朴怜浚;丘泳埈;文峻一;尹炳国;崔锡佑 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;阮爱青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 微凸块 半导体器件 及其 测试 方法 | ||
1.一种半导体器件,包括:
多个第一微凸块,其适用于传送正常信号;
多个第二微凸块,其适用于传送测试信号;以及
测试电路,其包括分别对应于所述多个第一微凸块和所述多个第二微凸块的多个扫描单元,所述测试电路适用于:
将储存在相应的扫描单元中的信号施加到所述多个第一微凸块和所述多个第二微凸块;
将所施加的信号从所述多个第一微凸块和所述多个第二微凸块反馈到相应的扫描单元;以及
将储存在所述多个扫描单元中的信号按顺序输出到测试输出焊盘。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,
其中,所述第一微凸块包括用于输入/输出命令/地址和数据的正常凸块;以及
其中,所述第二微凸块包括:至少一个测试输入凸块,其用于接收串行输入信号和测试控制信号;以及测试输出凸块,其用于输出串行输出信号。
3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,根据IEEE 1500标准,所述至少一个测试输入凸块适用于接收针对嵌入式核心测试的串行输入信号和测试控制信号,并且所述测试输出凸块适用于输出针对嵌入式核心测试的串行输出信号。
4.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,所述测试电路包括:
多个第一测试电路,其分别耦接至所述正常凸块;
第二测试电路,其耦接至所述至少一个测试输入凸块;以及
第三测试电路,其耦接至所述测试输出凸块。
5.根据权利要求4所述的半导体器件,其中,所述多个第一测试电路中的每个包括:
第一输入电路,其适用于通过对应的第一微凸块来接收信号;
第一复用器,其适用于根据第一控制信号来选择从所述第一输入电路提供的信号或经由测试输入焊盘传送来的信号;
第三复用器,其适用于根据捕获信号和移位信号来选择从所述第一复用器传送来的信号或从前一测试电路传送来的信号;
扫描单元,其适用于根据移位时钟来储存从所述第三复用器传送来的信号;
第一测试施加电路,其适用于当第一测试信号被激活时,施加储存在所述扫描单元中的信号;以及
第一输出电路,其适用于将从所述第一测试施加电路施加的信号输出到所述对应的第一微凸块。
6.根据权利要求5所述的半导体器件,其中,在所述第一测试电路之中的处于第一级的测试电路还包括:
第二复用器,其适用于根据模式信号来选择从所述第二测试电路传送来的信号或所述串行输入信号;
其中,所述第三复用器适用于根据所述捕获信号和所述移位信号来选择从所述第一复用器传送来的信号或从所述第二复用器传送来的信号。
7.根据权利要求4所述的半导体器件,其中,所述第二测试电路包括:
第二输入电路,其适用于经由所述至少一个测试输入凸块来接收信号;
第四复用器,其适用于根据第二控制信号来选择从所述第二输入电路传送来的信号或接地电压的电平信号;
第五复用器,其适用于根据模式信号来选择从所述第二输入电路传送来的信号或经由测试输入焊盘传送来的信号;
第六复用器,其适用于根据捕获信号和移位信号来选择从所述第四复用器传送来的信号或从所述第三测试电路传送来的信号;
扫描单元,其适用于根据移位时钟来储存从所述第六复用器传送来的信号;
第二测试施加电路,其适用于在第一测试信号被激活时,施加储存在所述扫描单元中的信号;以及
第二输出电路,其适用于将从所述第二测试施加电路施加的信号输出到所述至少一个测试输入凸块。
8.根据权利要求7所述的半导体器件,其中,所述第二测试电路还包括:
模式控制电路,其适用于对从所述第五复用器传送来的信号进行解码,并产生内部串行输入信号、所述捕获信号、所述移位信号和所述移位时钟。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造