[发明专利]阵列基板、显示面板及显示装置有效
申请号: | 202010749492.X | 申请日: | 2020-07-30 |
公开(公告)号: | CN111812902B | 公开(公告)日: | 2023-04-14 |
发明(设计)人: | 金慧俊 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G09F9/33;H01L27/15;H10K59/121;H10K59/123 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
显示区和围绕所述显示区的非显示区;
所述显示区包括多条栅极线;
所述非显示区包括移位寄存器组以及与所述移位寄存器组至少一端部级联的至少一级虚拟移位寄存器单元,所述移位寄存器组包括多个级联的移位寄存器单元,各所述移位寄存器单元的输出端与各自对应的栅极线电连接;
各所述虚拟移位寄存器单元及各所述移位寄存器单元均包括多个晶体管和多个电容,且各所述虚拟移位寄存器单元及各所述移位寄存器单元中的晶体管的数量、电容的数量,以及各元器件之间的电连接关系相同;
所述虚拟移位寄存器单元包括第一输出驱动晶体管,所述移位寄存器单元包括与所述第一输出驱动晶体管连接关系相同的第二输出驱动晶体管,所述第一输出驱动晶体管的沟道宽长比小于所述第二输出驱动晶体管的沟道宽长比,以使得所述虚拟移位寄存器单元的透光率大于所述移位寄存器单元的透光率;
所述阵列基板包括至少一段异行边缘,所述虚拟移位寄存器单元与所述异行边缘相邻。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述虚拟移位寄存器单元包括透光区,所述透光区为连续性透光区。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述虚拟移位寄存器单元还包括与所述第一输出驱动晶体管的栅极电连接的第一电容,所述移位寄存器单元包括与所述第一电容连接关系相同的第二电容,所述第一电容的容值大于所述第二电容的容值。
4.根据权利要求1至3任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第一输出驱动晶体管的沟道宽长为第一数值,所述第二输出驱动晶体管的沟道宽长比为第二数值,所述第一数值与所述第二数值的比值小于或等于0.2。
5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电容的容值与所述第二电容的容值的比值大于或等于2。
6.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电容及所述第二电容均包括相对的两个极板,所述第一电容的极板面积大于所述第二电容的极板面积。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电容的两个极板的至少部分区域均为镂空结构,所述第一电容的两个极板的镂空区域在所述阵列基板上的正投影交叠,且所述镂空区域为条形区域,所述镂空区域构成所述透光区。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述非显示区包括框胶区,所述框胶区围绕所述显示区设置,所述虚拟移位寄存器单元中至少所述第一电容位于所述框胶区。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板至少包括第一虚拟移位寄存器单元及第二虚拟移位寄存器单元;
其中,所述第一虚拟移位寄存器单元与第N-1级移位寄存器单元之间级联,所述第二虚拟移位寄存器单元与第N级移位寄存器单元之间级联,且第一级所述移位寄存器单元至第N级移位寄存器单元中所有奇数级移位寄存器单元中相邻两级移位寄存器单元之间相互级联,以及,所有偶数级移位寄存器单元中相邻两级移位寄存器单元之间相互级联;N为大于或等于4的正整数。
10.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至9任一项所述的阵列基板。
11.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求10所述的显示面板。
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