[发明专利]一种基于热电材料的太赫兹波探测器在审
申请号: | 202010749821.0 | 申请日: | 2020-07-30 |
公开(公告)号: | CN111854941A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 中山科立特光电科技有限公司 |
主分类号: | G01J1/42 | 分类号: | G01J1/42 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 528458 广东省中山市中山火炬开发区中心城区港*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 热电 材料 赫兹 探测器 | ||
1.一种基于热电材料的太赫兹波探测器,其特征在于,包括:衬底、第一石墨烯层、微纳颗粒层、第二石墨烯层、热电材料层、源极、漏极;所述衬底为绝缘材料,所述第一石墨烯层置于所述衬底上,所述微纳颗粒层置于所述第一石墨烯层上,所述第二石墨烯层置于所述微纳颗粒层上,所述热电材料层置于所述第二石墨烯层上,所述源极连接所述第一石墨烯层和所述第二石墨烯层的一侧,所述漏极连接所述第一石墨烯层和所述第二石墨烯层的另一侧。
2.如权利要求1所述的基于热电材料的太赫兹波探测器,其特征在于:所述微纳颗粒层包括微纳颗粒。
3.如权利要求2所述的基于热电材料的太赫兹波探测器,其特征在于:所述微纳颗粒不接触。
4.如权利要求3所述的基于热电材料的太赫兹波探测器,其特征在于:所述微纳颗粒的材料为贵金属。
5.如权利要求3所述的基于热电材料的太赫兹波探测器,其特征在于:所述微纳颗粒的材料为半导体。
6.如权利要求1-5任一项所述的基于热电材料的太赫兹波探测器,其特征在于:所述微纳颗粒的尺寸不同。
7.如权利要求6所述的基于热电材料的太赫兹波探测器,其特征在于:所述第一石墨烯层中石墨烯的层数少于6层。
8.如权利要求7所述的基于热电材料的太赫兹波探测器,其特征在于:所述第二石墨烯层中石墨烯的层数少于10层。
9.如权利要求8所述的基于热电材料的太赫兹波探测器,其特征在于:所述热电材料层的材料为锆钛酸铅、钽酸锂、铌酸锂、氮化镓、硝酸铯。
10.如权利要求9所述的基于热电材料的太赫兹波探测器,其特征在于:所述第一石墨烯层中设有孔洞。
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