[发明专利]半导体存储装置

说明书

实施方式提供一种可靠性提高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备衬底、第1晶体管、导电层、柱、及电荷储存膜，所述衬底包含第1导电类型的第1区域、及第1导电类型的第2区域，所述第1晶体管具有：第1绝缘膜，设置在第1区域及第2区域之上；第1导电类型的第1配线，设置在第1区域之上，电连接于第1区域，且第1导电类型杂质浓度比第1区域更高；及第1导电类型的第2配线，设置在第2区域之上，电连接于第2区域，且第1导电类型杂质浓度比第2区域更高；所述导电层与该衬底面平行地设置在第1晶体管的上方，所述柱贯通导电层，且包含半导体膜，所述电荷储存膜设置在半导体膜与导电层之间。

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2019-169907号(申请日：2019年9月18日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置。

背景技术

大容量的非易失性存储器正进行大力开发。该类型的存储器能够实现低电压、低电流动作、高速切换、存储器单元的微细化、高集成化。

在大容量存储器阵列中，排列着多条称为位线及字线的金属配线。1个存储器单元的写入是通过对连接于该单元的位线及字线施加电压而进行。提出了一种存储器装置，该存储器装置是使用交替地积层着成为该字线的导电层及绝缘层的积层体，将存储器单元三维排列而成。

发明内容

实施方式提供一种可靠性提高的半导体存储装置。

实施方式的半导体存储装置具备衬底、第1晶体管、导电层、柱、及电荷储存膜，所述衬底包含第1导电类型的第1区域、及第1导电类型的第2区域，所述第1晶体管具有：第1绝缘膜，设置在第1区域及第2区域之上；第1导电类型的第1配线，设置在第1区域之上，电连接于第1区域，且第1导电类型杂质浓度比第1区域更高；及第1导电类型的第2配线，设置在第2区域之上，电连接于第2区域，且第1导电类型杂质浓度比第2区域更高；所述导电层与所述衬底面平行地设置在第1晶体管的上方，所述柱贯通导电层，且包含半导体膜，所述电荷储存膜设置在半导体膜与导电层之间。

附图说明

图1是表示实施方式的存储器系统的构成的框图。

图2是实施方式的半导体存储装置的等效电路图。

图3是实施方式的半导体存储装置的示意截面图。

图4是实施方式的半导体存储装置的存储器柱附近的示意截面图。

图5(a)、(b)是实施方式的第1晶体管及第2晶体管的示意截面图。

图6(a)～(c)是实施方式的第2晶体管的制造步骤中的制造中途的第2晶体管的示意截面图。

图7(a)～(c)是实施方式的第2晶体管的制造步骤中的制造中途的第2晶体管的示意截面图。

图8(a)、(b)是实施方式的第2晶体管的另一制造步骤中的制造中途的第2晶体管的示意截面图。

具体实施方式

以下，使用图式对实施方式进行说明。另外，在图式中，对相同或类似的部位标附着相同或类似的符号。

在本说明书中，为了表示零件等的位置关系，将图式的上方向表述为“上”，将图式的下方向表述为“下”。在本说明书中，“上”、“下”的概念未必是表示与重力方向的关系的用语。