[发明专利]一种致密CsPbBr3 有效
| 申请号： | 202010750934.2 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111847502B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 朱文鹏;邢未未;熊伟明;郑跃 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;C01G21/00 |
| 代理公司： | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人： | 李思坪 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 致密 cspbbr base sub | ||
1.一种致密CsPbBr3薄膜的制备方法，其特征在于，将CsPbBr3薄膜制备在设置于基片上的Au薄膜上和/或Au薄膜边缘的基片上，所述Au薄膜边缘的基片指Au薄膜边缘小于100μm范围内的基片；
具体制备方法包括以下步骤：
S1、前驱体溶液的制备：将CsBr和PbBr2溶解到二甲基亚砜溶剂中，经加热搅拌均匀后得到前驱体溶液；
S2、溶液旋涂：对前驱体溶液和设置有Au薄膜的基片进行预热后，将前驱体溶液旋涂在Au薄膜上和/或Au薄膜边缘的基片上得到湿膜样品；
S3、退火处理：湿膜样品经退火后得到致密CsPbBr3薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种致密CsPbBr3薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，CsBr和PbBr2的物质的量比为1:（0.9-1.1），前驱体溶液的质量百分比浓度为15-25%。
3.采用权利要求1或2所述的制备方法得到的致密CsPbBr3薄膜在制备氧气传感器中的应用。
4.根据权利要求3所述的应用，其特征在于，所述氧气传感器包括但不限于无需光照室温下工作的氧气传感器。
5.一种CsPbBr3薄膜氧气传感器，其特征在于，包括采用权利要求1或2所述的制备方法得到的致密CsPbBr3薄膜。
6.权利要求5所述的CsPbBr3薄膜氧气传感器的制备方法，其特征在于，将CsPbBr3薄膜制备在设置有Au薄膜对电极的基片上构成氧气传感器。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、电极制备：使用热蒸镀方法在基片上制备Au薄膜对电极；
S2、前驱体溶液的制备：将CsBr和PbBr2溶解到二甲基亚砜溶剂中，经加热搅拌均匀后得到前驱体溶液；
S3、溶液旋涂：将步骤S1制备了Au薄膜对电极的基片和步骤S2的前驱体溶液进行预热，然后将前驱体溶液旋涂在基片上得到湿膜样品；
S4、退火处理：湿膜样品经退火后得到CsPbBr3薄膜氧气传感器。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，Au薄膜对电极的沉积厚度为40-60nm，Au薄膜对电极的间距为小于100μm，蒸镀速率为0.3-0.7Å/s。
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