[发明专利]一种高场非对称波形离子迁移谱仪在审
申请号: | 202010751195.9 | 申请日: | 2020-07-30 |
公开(公告)号: | CN111933511A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 唐飞;曾悦;王晓浩 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01J49/06 | 分类号: | H01J49/06 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 邸更岩 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高场非 对称 波形 离子 迁移 | ||
1.一种平板型高场非对称波形离子迁移谱仪,包括离子源(2)、迁移区(3)、检测区(9)、射频电源(6)、叠加电路(7)、补偿电压(8)、微弱电流检测电路(12)和直流源(13);所述迁移区包括由上电极(4)和下电极(5)构成的平板电极对;所述检测区(9)含有法拉第筒敏感极(10)和法拉第筒偏转极(11),其特征在于:所述的上电极为栅型平板电极(14),下电极(5)为金属平板电极;或者上电极(4)为金属平板电极,下电极为栅型平板电极(14)。
2.按照权利要求1所述的一种高场非对称波形离子迁移谱仪,其特征在于:栅型平板电极中的金属条纹方向平行于气流方向。
3.按照权利要求1或2所述的一种高场非对称波形离子迁移谱仪,其特征在于:所述的栅型平板电极的金属条纹宽度在0.1mm~1mm范围内,金属条纹之间的间隙宽度在0.1mm~1mm范围内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010751195.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种毁伤威力可调的破甲杀伤复合战斗部装置
- 下一篇:复合式万米级潜水器