[发明专利]一种高场非对称波形离子迁移谱仪在审

专利信息
申请号: 202010751195.9 申请日: 2020-07-30
公开(公告)号: CN111933511A 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 唐飞;曾悦;王晓浩 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01J49/06 分类号: H01J49/06
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 邸更岩
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 高场非 对称 波形 离子 迁移
【权利要求书】:

1.一种平板型高场非对称波形离子迁移谱仪,包括离子源(2)、迁移区(3)、检测区(9)、射频电源(6)、叠加电路(7)、补偿电压(8)、微弱电流检测电路(12)和直流源(13);所述迁移区包括由上电极(4)和下电极(5)构成的平板电极对;所述检测区(9)含有法拉第筒敏感极(10)和法拉第筒偏转极(11),其特征在于:所述的上电极为栅型平板电极(14),下电极(5)为金属平板电极;或者上电极(4)为金属平板电极,下电极为栅型平板电极(14)。

2.按照权利要求1所述的一种高场非对称波形离子迁移谱仪,其特征在于:栅型平板电极中的金属条纹方向平行于气流方向。

3.按照权利要求1或2所述的一种高场非对称波形离子迁移谱仪,其特征在于:所述的栅型平板电极的金属条纹宽度在0.1mm~1mm范围内,金属条纹之间的间隙宽度在0.1mm~1mm范围内。

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