[发明专利]量子点材料、制备方法、发光器件及显示装置有效
申请号: | 202010751485.3 | 申请日: | 2020-07-30 |
公开(公告)号: | CN111849485B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 张振琦 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | C09K11/88 | 分类号: | C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L33/04 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 胡影;李红标 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 材料 制备 方法 发光 器件 显示装置 | ||
本发明提供一种量子点材料、制备方法、发光器件及显示装置,量子点材料包括:量子点核,所述量子点核包括内核体、包裹在所述内核体外部的过渡层和包裹在所述过渡层外部的外核层,所述内核体为无镉材料结构,所述外核层中具有镉。在本发明的量子点材料中,将内核体设置为无镉材料结构,通过在外核层中加有镉,能够降低量子点材料中镉的含量,减少镉的污染和对人体的危害,同时能够保证量子点材料的性能,提高荧光量子产率,延长寿命,通过在内核体的外部与外核层之间设置过渡层能够调节晶格匹配程度,降低应力。
技术领域
本发明涉及显示领域,具体涉及一种量子点材料、制备方法、发光器件及显示装置。
背景技术
由于镉易产生污染,对人体具有危害,目前,含镉的量子点材料受到了严格的使用限制,但是无镉量子点的性能难以达到有镉量子点的性能,比如,用于背光增强的无镉量子点的荧光量子产率较低,寿命较短,难以满足性能要求。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种量子点材料、制备方法、发光器件及显示装置,用以解决现有量子点材料含镉量较高,无镉量子点材料性能难以满足要求的问题。
为解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案:
第一方面,根据本发明实施例的量子点材料,包括:
量子点核,所述量子点核包括内核体、包裹在所述内核体外部的过渡层和包裹在所述过渡层外部的外核层,所述内核体为无镉材料结构,所述外核层中具有镉。
其中,所述过渡层的带隙大于所述内核体的带隙和所述外核层的带隙,所述内核体的带隙小于所述外核层的带隙。
其中,还包括:
壳层,所述壳层包裹在所述外核层的外部。
其中,所述壳层的带隙大于所述内核体的带隙,所述壳层的带隙大于所述外核层的带隙。
其中,所述内核体为InP结构,所述过渡层中包括ZnSe、ZnS或ZnTe中的至少一种;和/或
所述外核层中包括CdSe、CdS或CdTe中的至少一种;和/或
所述壳层中包括ZnSe、ZnS或ZnTe中的至少一种。
其中,所述壳层的外表面具有有机配体。
其中,所述内核体的直径为1nm-10nm,所述过渡层的厚度为1nm-10nm,所述外核层的厚度为1nm-10nm;和/或
所述内核体的发射光的波长为620nm-630nm,所述外核层的发射光的波长为520nm-530nm。
第二方面,根据本发明实施例的量子点材料的制备方法,包括:
形成内核体;
在所述内核体的外部形成包裹所述内核体的过渡层;
在所述过渡层的外部形成包裹所述过渡层的外核层;
其中,所述内核体为无镉材料结构,所述外核层中具有镉。
第三方面,根据本发明实施例的发光器件,包括上述实施例中所述的量子点材料。
第四方面,根据本发明实施例的显示装置,包括上述实施例中所述的发光器件。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
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