[发明专利]用于高压集成芯片的自举电路、智能功率模块和电器设备

说明书

本申请提供一种用于高压集成芯片的自举电路、一种智能功率模块和一种电器设备。其中，自举电路包括：依次连接的振荡电路、升压电路、逻辑控制电路和MOS管；振荡电路的输入端与高压集成芯片的电源端连接，电源端具有第一电压；升压电路用于与振荡电路配合将第一电压升高至第二电压后输出至逻辑控制电路；逻辑控制电路的输出端与MOS管的栅极连接，用于根据第二电压控制MOS管的开启或关断；MOS管的源极与高压集成芯片的电源端连接，MOS管的漏极与高压集成芯片的对外供电端连接，用于在所述逻辑控制电路的控制下输出自举电压。本申请提供的自举电路可确保输出足够高的自举电压，相比于自举二极管的方式，占用面积较小，电压降较低。

技术领域

本申请涉及电子器件技术领域，具体涉及一种用于高压集成芯片的自举电路、一种智能功率模块和一种电器设备。

背景技术

智能功率模块(Intelligent Power Module,IPM)是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品，本质上是集成了功率器件及其驱动电路芯片的模块。智能功率模块以其高集成度、高可靠性等优势赢得越来越大的市场，尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源，是变频调速、冶金机械、电力牵引、伺服驱动、变频家电的一种理想电力电子器件，在能源管理领域起到其他集成电路难以企及的重要作用，器件性能直接影响能源系统的利用效率。

高压集成芯片(Hvichigh Voltage Integrated Circuit，HVIC)是智能功率模块中非常关键的控制芯片，随着技术的发展，对高压集成芯片的集成度、功能、性能等要求越来越高。

高压集成芯片中设有自举电路，当前主要是采用自举二极管实现，由于自举二极管会产生比较大的电能损耗，其输出端会存在较大的电压降，从而导致对外输出的驱动电压不足，影响高压集成芯片的性能。

发明内容

本申请的目的是提供一种用于高压集成芯片的自举电路、一种智能功率模块和一种电器设备。

本申请第一方面提供一种用于高压集成芯片的自举电路，包括：依次连接的振荡电路、升压电路、逻辑控制电路和MOS管；其中，

所述振荡电路的输入端与高压集成芯片的电源端连接，所述电源端具有第一电压；

所述升压电路用于与所述振荡电路配合将所述第一电压升高至第二电压后输出至所述逻辑控制电路；

所述逻辑控制电路的输出端与所述MOS管的栅极连接，用于根据所述第二电压控制所述MOS管的开启或关断；

所述MOS管的源极与所述高压集成芯片的电源端连接，所述MOS管的漏极与所述高压集成芯片的对外供电端连接，用于通过在所述逻辑控制电路的控制下开启或关断，向与所述对外供电端连接的外部电路输出开关驱动信号。

在一些变更实施方式中，所述逻辑控制电路包括：自举电压比较电路；

所述自举电压比较电路的输入端与所述高压集成芯片的对外供电端连接；

所述自举电压比较电路用于判断所述对外供电端的第三电压是否大于预设电压阈值，并根据所述第三电压大于所述预设电压阈值控制所述MOS管关断。

在一些变更实施方式中，所述自举电压比较电路的输入端还与所述高压集成芯片的电源端连接；

所述自举电压比较电路具体用于比较所述电源端的第一电压和所述对外供电端的第三电压，并根据所述第三电压大于所述第一电压控制所述MOS管关断。

在一些变更实施方式中，所述MOS管包括N沟道MOS管。

在一些变更实施方式中，所述升压电路包括：第一电容、第二电容、第三电容、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管和稳态二极管；其中，