[发明专利]一种适用于生物电化学修复系统的卤代烃降解菌群的获取方法在审

专利信息
申请号: 202010752483.6 申请日: 2020-07-30
公开(公告)号: CN112048461A 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 李翠;刘慧;余锦涛;刘珊;袁松虎 申请(专利权)人: 中国地质大学(武汉)
主分类号: C12N1/36 分类号: C12N1/36;C12N13/00;C12M1/42;C12M1/02;C12M1/00;C12R1/01
代理公司: 武汉知产时代知识产权代理有限公司 42238 代理人: 王佩
地址: 430000 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 适用于 生物 电化学 修复 系统 卤代烃 降解 获取 方法
【权利要求书】:

1.一种适用于生物电化学修复系统的卤代烃降解菌群的获取方法,其特征在于,其操作步骤主要在电化学菌液培养装置中进行,所述电化学菌液培养装置包括培养器(10)、阴极片、阳极片和搅拌单元,所述培养器(10)为圆柱体结构,所述阴极片和所述阳极片可拆卸的安装在所述培养器(10)内,并分别与直流电源的正极和负极连接,所述搅拌单元用于对所述培养器(10)内的物质进行搅拌,所述培养器(10)的上端设有与其内部连通的第一取料口;

卤代烃降解菌群的获取方法,其主要包括以下几个步骤:

S1、向所述培养器(10)内依次加入灭菌后的无机盐培养基、沉积物、共代谢基质和三氯乙烯,以得到第一混合液,所述阴极片和所述阳极片接电,启动搅拌单元,对所述第一混合液进行充分搅拌,培养7d后,即获得第一代驯化菌液,其中,所述第一混合液中所述无机盐培养基与所述沉积物的水土比为15~5:1,所述共代谢基质的浓度为3~8mmol/L,所述三氯乙烯的浓度为76~608μmol/L;

S2、采用三氯乙烯梯度驯化的方法,取第N-1代驯化菌液,与所述无机盐培养基、所述共代谢基质和所述三氯乙烯依次加入洁净的所述培养器(10)内,以得到第N混合液,重复S1中的操作,对所述第N混合液进行驯化培养,以得到第N代驯化菌液,其中,N为大于2的自然数,且第N混合液中所述无机盐培养基与所述第N-1驯化菌液的体积比为6~12:1,所述共代谢基质的浓度为3~8mmol/L,三氯乙烯的浓度为76~608μmol/L;

S3、将S2中的所述第N代驯化菌液进行冷冻保存后,即得卤代烃降解菌群。

2.根据权利要求1所述的一种适用于生物电化学修复系统的卤代烃降解菌群的获取方法,其特征在于,所述电化学菌液培养装置还包括废气收集单元(40),所述废气收集单元(40)与所述培养器(10)的内部连通,其用于收集培养器(10)中的废气。

3.根据权利要求2所述的一种适用于生物电化学修复系统的卤代烃降解菌群的获取方法,其特征在于,所述培养器(10)为圆柱体结构,其内部中空且上端敞口,其上端可拆卸的设有盖板(11),所述盖板(11)用于关闭或打开所述培养器(10)的上端敞口,所述盖板(11)上设有与所述培养器(10)内部连通的第一出气孔(18)、第一取料孔(12)和两个第一通孔,每个所述第一通孔内均可拆卸的安装有电极夹(30),且所述电极夹(30)的夹持部朝向所述培养器(10)内设置,其导电部穿过对应的所述第一通孔伸出所述培养器(10)外,所述阴极片和所述阳极片分别对应夹持在两个所述电极夹(30)的夹持部,所述废气收集单元(40)上设有第二进气口,所述第二进气口与所述第一出气孔(18)连通。

4.根据权利要求3所述的一种适用于生物电化学修复系统的卤代烃降解菌群的获取方法,其特征在于,所述废气收集单元(40)包括废气收集瓶,所述废气收集瓶的上端为敞口结构,并在其上端设有与其匹配的第一密封件,所述第一密封件与所述废气收集瓶的上端可拆卸连接,并用于盖住或打开所述废气收集瓶的上端,所述第一密封件上设有与所述废气收集瓶内部连通的进气口和所述第二出气口(41),所述第一出气孔(18)通过气管与所述进气口连通,所述废气收集瓶内填充有净化单元,所述净化单元用于对废气进行净化。

5.根据权利要求4所述的一种适用于生物电化学修复系统的卤代烃降解菌群的获取方法,其特征在于,所述净化单元为甲醇和水的混合物。

6.根据权利要求1所述的一种适用于生物电化学修复系统的卤代烃降解菌群的获取方法,其特征在于,所述搅拌单元包括磁力搅拌器(20)和磁转子,所述磁力搅拌器(20)水平设置,所述培养器(10)竖直设置在所述磁力搅拌器(20)的上端,所述磁转子设置在所述培养器(10)内。

7.根据权利要求1所述的一种适用于生物电化学修复系统的卤代烃降解菌群的获取方法,其特征在于,所述阴极片和所述阳极片均选用钛涂层电极板。

8.根据权利要求1所述的一种适用于生物电化学修复系统的卤代烃降解菌群的获取方法,其特征在于,所述直流电源的输出电流为0~50mA。

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