[发明专利]钙钛矿薄膜的生产方法及钙钛矿太阳电池的制备方法在审
申请号: | 202010753687.1 | 申请日: | 2020-07-30 |
公开(公告)号: | CN112002815A | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 徐琛 | 申请(专利权)人: | 隆基绿能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 赵娟 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿 薄膜 生产 方法 太阳电池 制备 | ||
1.一种钙钛矿薄膜的生产方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供基板;
提供钙钛矿溶液;其中,所述钙钛矿溶液中的溶剂包括N,N-二甲基甲酰胺和醇形成的混合物;
将所述钙钛矿溶液涂布在所述基板上,得到钙钛矿液膜;
固化所述钙钛矿液膜,得到钙钛矿薄膜。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的生产方法,其特征在于,在所述溶剂中,N,N-二甲基甲酰胺的体积大于或等于醇的体积。
3.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的生产方法,其特征在于,在所述溶剂中,N,N-二甲基甲酰胺与醇按照1:1-4:1的体积比混合。
4.根据权利要求1或2所述的钙钛矿薄膜的生产方法,其特征在于,所述醇选自:甲醇、乙醇、异丙醇中的至少一种。
5.根据权利要求1或2所述的钙钛矿薄膜的生产方法,其特征在于,所述涂布选自旋涂、刮涂、狭缝涂布、超声喷涂、滴加流延中的任一种方式。
6.根据权利要求5所述的钙钛矿薄膜的生产方法,其特征在于,在所述刮涂、狭缝涂布、超声喷涂、或滴加流延的方式下,均在所述基板的温度保持小于或等于25℃的情况下进行涂布。
7.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的生产方法,其特征在于,固化钙钛矿液膜的步骤包括:
采用保护气吹淋的方式,将钙钛矿液膜固化得到钙钛矿薄膜。
8.根据权利要求1或2所述的钙钛矿薄膜的生产方法,其特征在于,所述提供基板的步骤包括:
提供基底;
在所述基底上依次设置前电极层、第一载流子传输层;所述第一载流子传输层为:空穴传输层或电子传输层中的一种。
9.根据权利要求1或2所述的钙钛矿薄膜的生产方法,其特征在于,钙钛矿薄膜的厚度为100-1000nm。
10.根据权利要求1或2所述的钙钛矿薄膜的生产方法,其特征在于,所述钙钛矿溶液的浓度大于或等于0.2mol/L,小于或等于1.5mol/L。
11.一种钙钛矿太阳电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
采用如权利要求1-10中任一所述的钙钛矿薄膜的生产方法,得到形成在基板上的钙钛矿薄膜;
在钙钛矿薄膜远离所述基板的一侧依次形成第二载流子传输层和背电极层;其中,所述第二载流子传输层和基板包括的第一载流子传输层的类型相反。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择