[发明专利]硅异质结太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种硅异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一异质结硅基底；所述异质结硅基底具有相对的第一面和第二面；

在所述第一面上依次形成第一透明导电膜和第一电极栅线；

在所述第一透明导电膜以及所述第一电极栅线上形成第一钝化膜；

在所述第一电极栅线的至少第一焊接区域上涂覆第一刻蚀浆料，以去除所述第一焊接区域上的第一钝化膜，提高所述第一焊接区域的可焊性；

所述第一刻蚀浆料含有氟元素；所述第一刻蚀浆料的pH值为2.5-3.5，粘度为100Pa·s-400Pa·s；所述第一刻蚀浆料与第一焊接区域上的第一钝化膜以及第一焊接区域上具有的绝缘杂质发生反应，以将第一焊接区域上覆盖的第一钝化膜以及第一焊接区域上具有的绝缘杂质同时刻蚀，露出异质结太阳能电池的第一焊接区域。

2.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述形成第一钝化膜采用化学气相淀积工艺，所述化学气相淀积工艺的工艺气体包括含氢气体。

3.根据权利要求2所述的硅异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述含氢气体包括氮化硅反应气和氢掺杂气体；其中，所述氢掺杂气体包括H₂和/或H₂O；

或，所述含氢气体包括氧化硅反应气和氢掺杂气体；其中，所述氢掺杂气体包括H₂和/或H₂O。

4.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述涂覆的方式为丝网印刷。

5.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，

所述在所述第一电极栅线的至少第一焊接区域上涂覆第一刻蚀浆料，以去除所述第一焊接区域上的第一钝化膜包括：

在所述第一电极栅线的至少第一焊接区域上涂覆第一刻蚀浆料；

在预设温度下，对所述第一刻蚀浆料进行烘烤；

清洗以去除所述第一焊接区域上的第一钝化膜以及残留的第一刻蚀浆料。

6.根据权利要求5所述的硅异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一刻蚀浆料中还含有磷酸；所述预设温度为100℃～250℃，所述烘烤的烘烤时间1min～10min。

7.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述硅异质结太阳能电池的制作方法还包括：

在所述第二面上依次形成第二透明导电膜和第二电极栅线；

选择性在所述第二透明导电膜以及所述第二电极栅线上形成第二钝化膜；

在所述第二电极栅线的至少第二焊接区域上涂覆第二刻蚀浆料，以对所述第二焊接区域进行刻蚀。

8.根据权利要求1-7任一项所述的硅异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述异质结硅基底包括掺杂硅衬底、形成在所述掺杂硅衬底上的本征硅层，以及形成在所述本征硅层上的掺杂硅层；

其中，所述掺杂硅衬底与所述掺杂硅层的极性相反。

9.根据权利要求1-7任一项所述的硅异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一透明导电膜的材质包括氧化铟、氧化锌、氧化锌镓中的一种或多种。

10.根据权利要求1-7任一项所述的硅异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一透明导电膜中掺杂有锡、钨、锆、钛中的一种或多种。

11.根据权利要求1-7任一项所述的硅异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一透明导电膜的厚度为30nm-120nm。

12.一种硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述硅异质结太阳能电池采用权利要求1-11中任一项所述的硅异质结太阳能电池的制作方法制作。