[发明专利]MB2 有效
申请号: | 202010754632.2 | 申请日: | 2020-07-30 |
公开(公告)号: | CN111848220B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 成程;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军火箭军工程大学 |
主分类号: | C04B41/87 | 分类号: | C04B41/87 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 朱伟雄 |
地址: | 710025 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mb base sub | ||
1.一种MB2基超高温陶瓷涂层,其特征在于,包括超高温陶瓷本体涂层,所述超高温陶瓷本体涂层的组成为MB2-M1Si-Mo-SiC,按体积分数计,包括40~60%MB2,20~40%M1Si,20~40%Mo和0~20%SiC;其中MB2包括HfB2和ZrB2,且HfB2和ZrB2的体积比为4∶1~1∶4;M1Si包括MoSi2、CrSi2、ZrSi2和TaSi2中的一种或两种以上,且MoSi2、CrSi2、ZrSi2和TaSi2的体积比为0~4∶0~4∶1~8∶0~2;
所述超高温陶瓷涂层还包括硅基过渡层;所述硅基过渡层的组成为Si-ZrB2-SiC-Al,按体积分数计,Si、ZrB2、SiC和Al的含量依次为45~70%、10~20%、15~30%和5~10%。
2.如权利要求1所述的MB2基超高温陶瓷涂层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)制备MB2基超高温陶瓷团聚粉末;
(2)准备喷涂用基材;
(3)采用超音速等离子喷涂在基材表面制备MB2基超高温陶瓷涂层;
(3.1)基材预处理;
(3.2)采用超音速等离子喷涂制备MB2基超高温陶瓷涂层本体;
在步骤(3.2)前,还包括先在基材表面制备硅基过渡层;所述硅基过渡层通过超音速等离子喷涂制备,具体包括:按Si、ZrB2、SiC和Al的体积分数加入原料,先通过喷雾造粒得到团聚复合粉末,再采用超音速等离子喷涂制备硅基过渡层;所述超音速等离子喷涂的工艺参数为:喷涂功率为35~50kW,主气Ar流速为120~150 L/min,辅气H2流速为6~10 L/min,喷涂距离为80~100 mm,载气Ar流速为8~12 L/min,喂料速度为15~25 g/min。
3.如权利要求2所述的MB2基超高温陶瓷涂层的制备方法,其特征在于,还包括对制备的MB2基超高温陶瓷涂层进行激光表面重熔处理;所述激光重熔处理包括:采用连续CO2激光系统进行处理,激光功率设定为5~8 kW,激光光束采用的离焦量为50~120 mm。
4.如权利要求2所述的MB2基超高温陶瓷涂层的制备方法,其特征在于,步骤(1)包括:按照涂层设计的比例加入各原料,以ZrO2作为磨球,以聚乙烯醇或阿拉伯树脂粉为粘接剂,通过滚筒球磨的方式制备浆料,将浆料喷雾造粒,在出口处收集粒径为20~80μm的团聚复合粉末。
5.如权利要求4所述的MB2基超高温陶瓷涂层的制备方法,其特征在于,还包括对团聚复合粉末进行热处理;所述热处理的在电阻炉中进行,气氛为氩气气氛,处理温度为1200~1800℃。
6.如权利要求2所述的MB2基超高温陶瓷涂层的制备方法,其特征在于,步骤(3.2)中,超音速等离子喷涂的工艺参数为:喷涂功率为30~50kW,主气Ar流速为60~250 L/min,辅气H2流速为4~10 L/min,喷涂距离为70~120mm,载气Ar流速为8~12 L/min,喂料速度为15~25g/min。
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