[发明专利]天线结构及具有该天线结构的电子设备在审

专利信息
申请号: 202010754656.8 申请日: 2020-07-30
公开(公告)号: CN114069224A 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 许倬纲;贺敏慧 申请(专利权)人: 深圳富泰宏精密工业有限公司;群迈通讯股份有限公司
主分类号: H01Q1/44 分类号: H01Q1/44;H01Q1/36;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q5/50;H01Q5/28;H01Q5/35;H01Q5/328;H01Q1/22
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 李艳霞
地址: 518109 广东省深圳市龙华新区龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 天线 结构 具有 电子设备
【权利要求书】:

1.一种电子设备的天线结构,其特征在于,所述天线结构包括边框、背板、第三馈入点及第四馈入点,所述边框至少部分由金属材料制成,所述边框上至少开设有第一缝隙及第三缝隙,所述边框设置于所述背板的边缘,所述背板靠近所述边框的边缘还设置有开槽,所述第一缝隙及第二缝隙与所述开槽连通,所述第一缝隙与所述第三缝隙共同自所述边框上划分出第三辐射部及第四辐射部,所述第三馈入点设置于所述第三辐射部上,且电连接至一第三馈电点,以为所述第三辐射部馈入电流信号,所述第四馈入点设置于所述第四辐射部上,且电连接至一第四馈电点,以为所述第四辐射部馈入电流信号,当所述第三馈入点及所述第四馈入点分别馈入电流时,所述第三辐射部与所述第四辐射部产生至少一个相同的辐射频段,其中当电流自所述第三馈入点馈入时,所述第三辐射部激发LTE-A低、中、高频模态、超中频模态、超高频模态及5G N78/N79模态;当电流自所述第四馈入点馈入时,所述第四辐射部激发中、高频模态、超高频模态及5G N78/N79模态。

2.如权利要求1所述的天线结构,其特征在于:所述边框至少包括第一部分及第三部分,所述第三部分连接至所述第一部分的一端,且所述第三部分的长度大于所述第一部分的长度,所述第一缝隙开设于所述第一部分,所述第三缝隙开设于所述第三部分,所述第一缝隙与所述第三缝隙之间的所述边框构成所述第三辐射部,所述第三缝隙远离所述第一缝隙及所述第三辐射部的部分所述边框形成所述第四辐射部。

3.如权利要求1所述的天线结构,其特征在于:所述天线结构还包括第二接地点,所述第二接地点设置于所述第三辐射部上,且所述第二接地点与所述第四馈入点设置于所述第三缝隙的两侧。

4.如权利要求3所述的天线结构,其特征在于:所述天线结构还包括切换电路,所述切换电路设置于所述第三辐射部上,且位于所述第一缝隙与所述第二接地点之间,所述切换电路接地,用以调节所述第三辐射部的辐射频率。

5.如权利要求4所述的天线结构,其特征在于:所述第三馈入点设置于所述切换电路与所述第二接地点之间,或者,所述第三馈入点设置于所述切换电路与所述第一缝隙之间。

6.如权利要求3所述的天线结构,其特征在于:所述边框还包括第二部分,所述第二部分连接至所述第一部分的另一端,所述第二部分的长度大于所述第一部分的长度,所述边框上还开设有第二缝隙,所述第二缝隙开设于所述第二部分,所述第一缝隙与所述第二缝隙之间的所述边框构成一第一辐射部,所述第二缝隙远离所述第一缝隙及所述第一辐射部的部分所述边框形成一第二辐射部,所述天线结构还包括第一馈入点、第二馈入点及第一接地点,所述第一馈入点设置于所述第一辐射部上,且电连接至一第一馈电点,以为所述第一辐射部馈入电流信号,所述第二馈入点设置于所述第二辐射部上,且电连接至一第二馈电点,以为所述第二辐射部馈入电流信号,所述第一接地点设置于所述第一辐射部上,且位于所述第一馈入点与所述第二馈入点之间,当所述第一馈入点及所述第二馈入点分别馈入电流时,所述第一辐射部与所述第二辐射部产生至少一个相同的辐射频段。

7.如权利要求6所述的天线结构,其特征在于:所述第一接地点与所述第二接地点对称设置。

8.如权利要求6所述的天线结构,其特征在于:所述第二馈入点与所述第四馈入点对称设置,且均通过系统接地面接地。

9.如权利要求6所述的天线结构,其特征在于:当电流自所述第一馈入点馈入时,所述第一辐射部激发GPS模态、WIFI 2.4GHz模态、WIFI 5GHz模态及许可频谱辅助接入模态;当电流自所述第二馈入点馈入时,所述第二辐射部激发WIFI 2.4GHz模态、WIFI5GHz模态及许可频谱辅助接入模态。

10.一种电子设备,其特征在于:所述电子设备包括如权利要求1至9项中任一项所述的天线结构。

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