[发明专利]一种闪存单元及其制造方法在审
| 申请号： | 202010756531.9 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111755528A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 王萱;孙中琳;刘尚;刘大铕 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 赵玉凤 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 单元 及其 制造 方法 | ||
1.一种闪存单元，其特征在于：包括栅极、覆盖在栅极上的氧化硅隔离层、覆盖在氧化硅隔离层上的电子势阱层和覆盖在电子势阱层上的隧穿层，隧穿层上设有沟道，沟道的两端为源极和漏极，所述沟道为氧化镓铟沟道，所述电子势阱层为氮化硅电子势阱层，所述隧穿层为氧化铝隧穿层。
2.根据权利要求1所述的闪存单元，其特征在于：所述栅极为P型重掺杂硅栅极。
3.根据权利要求1所述的闪存单元，其特征在于：源极和漏极位于沟道的两端，并且源极和漏极部分覆盖沟道的端部。
4.根据权利要求1所述的闪存单元，其特征在于：所述沟道通过ALD沉积形成，沟道的厚度为15nm。
5.根据权利要求1所述的闪存单元，其特征在于：所述电子势阱层通过低压化学气相沉积形成，电子势阱层的厚度为7nm。
6.根据权利要求1所述的闪存单元，其特征在于：所述隧穿层通过热ALD沉积形成，隧穿层的厚度为5nm。
7.根据权利要求1所述的闪存单元，其特征在于：所述氧化硅隔离层的厚度为5nm。
8.根据权利要求1所述的闪存单元，其特征在于：所述栅极的厚度为500微米。
9.一种闪存单元的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
S01）、在P型重掺杂硅片衬底上生长一层5nm厚的热氧化SiO2层，所述P型重掺杂硅片即为闪存单元的栅极，所述热氧化SiO2层为氧化硅隔离层；
S02）、在氧化硅隔离层上利用低压化学气相沉积一层7nm厚的氮化硅层作为电子势阱层；
S03）、在电子势阱层上利用热ALD沉积一层5nm厚的氧化铝层作为隧穿层；
S04）、在氧化铝隧穿层上用ALD沉积一层15nm厚的氧化镓铟作为沟道层；
S05）、为了使整个氧化镓铟层实现多个分离的闪存单元，利用正光刻胶刻蚀掉多余的氧化镓铟部分；
S06）、在每个闪存单元沟道层的两端利用负光刻胶刻蚀出源极区域和漏极区域，然后在源极区域和漏极区域利用磁控溅射沉积铝作为源极和漏极。
10.根据权利要求9所述的闪存单元的制造方法，其特征在于：P型重掺杂硅片衬底的厚度为500微米。
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