[发明专利]LDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于，至少包括衬底、位于所述衬底内的漂移区和体区、栅极结构；

所述栅极结构位于所述衬底上方，且所述栅极结构横跨部分体区和部分漂移区，所述栅极结构与所述衬底之间设置有栅氧化层；

所述体区的一端设置有源区；

所述漂移区内设置有间隔排列的N个第一类浅沟槽隔离，所述漂移区内的一端还设置有漏区，所述漏区与所述栅极结构被所述第一类浅沟槽隔离分隔；其中，间隔排列的N个第一类浅沟槽隔离中的部分第一类浅沟槽隔离位于栅极结构的下方，N为大于等于2的整数；

其中，所述第一类浅沟槽隔离的深度小于与所述第一类浅沟槽隔离同一工艺步骤形成的第二类浅沟槽隔离的深度。

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述栅极结构包括多晶硅栅和栅极侧墙；

所述源区的顶部、所述漏区的顶部、所述多晶硅栅的顶部分别设置有金属硅化物；

所述漏区和所述栅极结构之间的衬底表面设置有金属硅化物阻挡层，且所述金属硅化物阻挡层延伸至所述栅极结构的上方。

3.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述衬底中设置有阱区，所述体区和所述漂移区位于所述阱区内。

4.一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底中同时形成第一类浅沟槽隔离和第二类浅沟槽隔离，所述第一类浅沟槽隔离的深度小于所述第二类浅沟槽隔离的深度；

在所述衬底中形成漂移区和体区，所述漂移区包围间隔排列的N个所述第一类浅沟槽隔离；

在衬底上形成栅极结构，所述栅极结构横跨部分体区和部分漂移区，所述栅极结构包括多晶硅栅和栅极侧墙；

在所述漂移区形成漏区，在所述体区形成源区，所述漏区与所述栅极结构被所述第一类浅沟槽隔离分隔；

其中，间隔排列的N个第一类浅沟槽隔离中的部分第一类浅沟槽隔离位于栅极结构的下方，N为大于等于2的整数。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在衬底中同时形成第一类浅沟槽隔离和第二类浅沟槽隔离，包括：

通过光刻工艺在所述衬底表面定义第一类沟槽开口图案和第二类沟槽开口图案，所述第一类沟槽开口图案的开口尺寸小于所述第二类沟槽开口图案的开口尺寸；

根据所述第一类沟槽开口图案和所述第二类沟槽开口图案刻蚀所述衬底，形成第一类沟槽和第二类沟槽，所述第一类沟槽的深度小于所述第二类沟槽的深度；

填充所述第一类沟槽和所述第二类沟槽，形成所述第一类浅沟槽隔离和所述第二类浅沟槽隔离。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在衬底上形成栅极结构，所述栅极结构横跨部分体区和部分漂移区，包括：

在所述衬底表面形成栅氧化层；

沉积多晶硅层，并刻蚀所述多晶硅层形成多晶硅栅，所述多晶硅栅横跨部分体区和部分漂移区；

在所述多晶硅栅的两侧形成栅极侧墙。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底中形成漂移区和体区，所述体区包围间隔排列的所述第一类浅沟槽隔离，包括：

通过离子注入工艺在所述衬底中形成所述体区；

通过离子注入工艺在所述衬底中形成所述漂移区，所述漂移区包围间隔排列的所述第一类浅沟槽隔离。

8.根据权利要求4或7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述衬底中形成阱区，所述漂移区、所述体区、所述第一类浅沟槽隔离位于所述阱区内。

9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述漂移区形成漏区，在所述体区形成源区之后，所述方法还包括：

在所述漏区和所述栅极结构之间的衬底上形成金属硅化物阻挡层，且所述金属硅化物阻挡层延伸至所述栅极结构的上方；

在所述栅极结构的顶部、所述源区的顶部、所述漏区的顶部形成金属硅化物。