[发明专利]膜厚异常情况的检测方法

说明书

本申请公开了一种膜厚异常情况的检测方法，涉及半导体制造领域。该方法包括对晶圆表面进行亮场扫描，获取晶圆上die表面膜层的形貌信息，形貌信息包括明暗度差异值和粗糙度差异值；针对获取到形貌信息的各个die，检测die上各个膜点对应的形貌信息是否满足预定条件，预定条件为明暗度差异值小于第一预定值，且粗糙度差异值小于第二预定值；若检测到膜点对应的形貌信息满足预定条件，则确定膜点的膜厚无异常；若检测到膜点对应的形貌信息不满足预定条件，则确定膜点的膜厚发生异常；解决了目前检测膜厚时限制多，难以实时检测膜厚情况的问题；达到了在膜层制作完成后及时检测膜厚，实现膜厚异常的当站检测的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种膜厚异常情况的检测方法。

背景技术

在集成电路制造过程中，包含在晶圆表面生长不同膜层的步骤。薄膜可以通过淀积工艺、热生长等工艺形成。薄膜的质量关乎半导体器件的性能，薄膜异常会造成后期良率异常。

目前，膜厚机台和缺陷检测机台无法对晶圆上某些特殊区域薄膜的膜厚进行量测，最终要到(chip probe，芯片探针)测试时才能发现膜厚出现异常。而此时发现膜厚出现异常，已经无法进行有效的改善措施，容易出现大批量晶圆良率不合格的问题。

发明内容

为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种膜厚异常情况的检测方法。该技术方案包括：

一方面，本申请实施例提供了一种膜厚异常情况的检测方法，该方法包括：

对晶圆表面进行亮场扫描，获取晶圆上die表面膜层的形貌信息，形貌信息包括明暗度差异值和粗糙度差异值；晶圆上分布有若干个die，每个die上的任意一个膜点对应一个坐标信息；

针对获取到形貌信息的各个die，检测die上各个膜点对应的形貌信息是否满足预定条件，预定条件为明暗度差异值小于第一预定值，且粗糙度差异值小于第二预定值；

若检测到膜点对应的形貌信息满足预定条件，则确定膜点的膜厚无异常；

若检测到膜点对应的形貌信息不满足预定条件，则确定膜点的膜厚发生异常。

可选的，对晶圆表面进行亮场扫描，获取晶圆上die表面膜层的形貌信息，包括：

对晶圆表面进行若干次亮场扫描；

分若干次获取die表面膜层的形貌信息，每次获取n个die上各个膜点的形貌信息；

其中，任意两次被获取形貌信息的die对应的坐标信息不相同；n个die位于晶圆上的同一列或同一行，且任意相邻的两个die之间间隔m个die，n为大于等于3的整数，m为大于等于1的整数。

可选的，n＝3，m＝1。

可选的，针对获取到形貌信息的各个die，检测die上各个膜点对应的形貌信息是否满足预定条件，包括：

根据获取到的形貌信息制作异常分析图，获取到形貌信息的每个膜点对应异常分析图中的一个点，异常分析图的纵坐标和横坐标为明暗度差异值和粗糙度差异值；

在异常分析图中确定无异常区域和异常区域，无异常区域对应的明暗度差异值小于第一预定值，无异常区域对应的粗糙度差异值小于第二预定值；

检测异常分析图中的各个点在异常分析图中的区域。

可选的，该方法包括：

若检测到点位于无异常区域，则确定点对应的膜点的膜厚无异常；

若检测到点位于异常区域，则确定点对应的膜点的膜厚发生异常。

可选的，每次亮场扫描的光照条件相同。

可选的，该方法还包括：