[发明专利]一种钡钴锌铌体系微波介质陶瓷烧结退火工艺

说明书

本发明公开了一种钡钴锌铌体系微波介质陶瓷烧结退火工艺，包括步骤：将内部盛有钡钴锌铌体系微波介质陶生坯的氧化铝匣钵放置于烧结炉腔内进行烧结，得到微波介质陶瓷；将所述微波介质陶瓷以预定降温速率降至退火温度，在所述退火温度条件下对所述微波介质陶瓷进行退火；所述预定降温速率为1.0℃‑1.5℃/分钟。通过将烧结后得到的微波介质陶瓷以1.0℃‑1.5℃/分钟的降温速率降温至退火温度，使得陶瓷内部的物质得到相对充分的转移，陶瓷有序度提升。所得到的钡钴锌铌体系微波介质陶瓷，电气性能得到较大的提升。

技术领域

本发明涉及陶瓷技术领域，尤其涉及一种钡钴锌铌体系微波介质陶瓷烧结退火工艺。

背景技术

微波介质陶瓷是近二十年发展起来的一种新型功能电子陶瓷，在现代通讯设备中广用于制作介质谐振器、介质振荡器、介质滤波器、移相器、微波基板等电子器件。微波介质陶瓷用于制作电子器件时需要满足3个最基本的性能要求：(1)高的介电常数ε_r，以利于器件的小型化；(2)高的品质因数Q，以保证优良的选频特性；(3)尽肯能小且可控的谐振频率温度系数τ_f，以确保使用温度改变时频率的稳定性。

一般将微波介质陶瓷体系按介电常数的大小分为三大类：低、中、高介电常数类，BCZN(钡钴锌铌体系)微波介质陶瓷材料的介电常数在35左右，属于中介电常数类(介电常数介于30-70之间)微波介质陶瓷，主要应用于4GHz～8GHz频率范围内的卫星通信及移动通讯基站。但现有的烧结工艺生产BCZN陶瓷烧结时间(包括退火时间在内)长，陶瓷的组分易挥发、使产物偏离预期的组成并形成多相结构，从而导致材料的电气性能不够理想。

因此，如何改善BCZN陶瓷的电气性能是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种钡钴锌铌体系微波介质陶瓷烧结退火工艺，旨在解决现有BCZN陶瓷烧结时间长导致BCZN陶瓷的电气性能不理想的问题。

一种钡钴锌铌体系微波介质陶瓷烧结退火工艺，其中，包括步骤：

将内部盛有钡钴锌铌体系微波介质陶生坯的氧化铝匣钵放置于烧结炉腔内进行烧结，得到微波介质陶瓷；

将所述微波介质陶瓷以预定降温速率降至退火温度，在所述退火温度条件下对所述微波介质陶瓷进行退火；所述预定降温速率为1.0℃-1.5℃/分钟。

上述所述的钡钴锌铌体系微波介质陶瓷烧结退火工艺，通过将烧结后得到的微波介质陶瓷以1.0℃-1.5℃/分钟的降温速率降温至退火温度，使得陶瓷内部的物质得到相对充分的转移，陶瓷有序度提升。所得到的钡钴锌铌体系微波介质陶瓷，电气性能得到较大的提升。

可选地，所述的钡钴锌铌体系微波介质陶瓷烧结退火工艺，其中，所述退火温度为1250-1400℃。

可选地，所述的钡钴锌铌体系微波介质陶瓷烧结退火工艺，其中，所述在所述退火温度条件下对所述微波介质陶瓷进行退火，其中退火时间为5-10小时。

可选地，所述的钡钴锌铌体系微波介质陶瓷烧结退火工艺，其中，所述烧结温度为1300-1450℃。

可选地，所述的钡钴锌铌体系微波介质陶瓷烧结退火工艺，其中，所述在所述退火温度条件下对所述微波介质陶瓷进行退火的步骤之前还包括，对所述微波介质陶瓷进行保温，保温时间为1.5-2.5小时。

可选地，所述的钡钴锌铌体系微波介质陶瓷烧结退火工艺，其中，所述微波介质陶生坯的直径为8-12毫米。

可选地，所述的钡钴锌铌体系微波介质陶瓷烧结退火工艺，其中，所述微波介质陶生坯的厚度为3.5-5.9毫米。

可选地，所述的钡钴锌铌体系微波介质陶瓷烧结退火工艺，其中，所述烧结的烧结时间为2-5小时。