[发明专利]一种美味猕猴桃砧木组培快繁方法

权利要求书

1.一种美味猕猴桃砧木组培快繁方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

（1）外植体的选取与消毒：从‘金魁’系美味猕猴桃一年生母树上剪取生长健壮，且顶芽和腋芽饱满的当年生嫩枝，长度10~15 cm，每段含顶芽及3~5个腋芽，将所取嫩枝在流水下冲洗后，剪切下带芽茎段，装入瓶中，用0.1 ml/L的百时清浸泡8~15min，再用纯净水浸洗5~6次，然后于超净工作台中，将所述茎段用1 g/L升汞溶液浸泡10~15min后，用75%酒精浸泡处理2.5~3.5 min，最后用无菌水浸洗4~8次；

（2）不定芽再生诱导：于超净工作台中切取上述灭菌带芽茎段上的顶芽或腋芽，置于光照强度3000~3200 Lux、光照时长12 h/d、温度24℃的条件下进行培养，培养基组成为MS +蔗糖29~31g/L + 琼脂7~8g/L + 6-BA 2mg/L + NAA 0.2mg/L，pH=6.20~6.24，培养25~30 d时顶芽或腋芽再生为不定芽；

（3）不定芽增殖培养：将诱导获得的不定芽置于光照强度3000~3200 Lux、光照12 h/d、温度24℃条件下进行增殖培养，培养基组成为MS + 蔗糖29~31g/L + 琼脂7~8g/L + 6-BA0.5mg/L + GA₃ 4mg/L，pH=6.20~6.24，培养25~30 d后，不定芽增殖系数达4~5；

（4）生根培养：当不定芽生长到4~5 cm，具5-6个叶片时，切除底部愈伤组织和底部叶片，保留茎干和顶部2~4片幼叶，接种于生根培养基上，先进行弱光培养，光照强度400 lux，时长12 h/d，温度20~24℃；弱光培养13~16 d后转入正常培养，光照强度3000~3200 Lux，光照时长12 h/d，温度20~24℃，根长2~3 cm，待每苗4~6条根时，进行移栽；

（5）移栽：将瓶苗进行驯化处理，然后将瓶苗取出，用流水将培养基质洗净，并灭菌处理，然后将苗株移栽到育苗穴盘中，根部埋入基质中，在栽好苗株的穴盘上覆盖一层无纺布，同时保持无纺布湿润，5-7 d后缓苗结束，移除无纺布，并控制环境条件为：前期13~16d，光照6000~8000 Lux，温度22~24℃，湿度96~98%；中期13~16 d，光照8000~15000 Lux，温度24~28℃，湿度76~78%；后期根据苗株长势，逐步提高光照强度，待植株健壮且生长稳定后，进入正常温室生产管理，光照强度不高于25000 Lux，温度不高于30℃，湿度不低于75%；2个月后，组培苗生长健壮后移栽到苗圃园；

步骤（2）、（3）按照配方配制相应培养基后，分别加热煮沸两次后进行分装，每1 L培养基分装到20~22个培养瓶中，120℃下高压灭菌20 min，冷却后置入超净工作台备用；

步骤（4）中所述的生根培养基的组成为：1/2MS + 蔗糖29~31g/L + 琼脂7~8g/L + IBA1mg/L + NAA 0.2mg/L，pH=6.20~6.24。

2.根据权利要求1所述的美味猕猴桃砧木组培快繁方法，其特征在于，步骤（1）中剪切下的带芽茎段每段长2~3 cm，带一个顶芽或腋芽。

3.根据权利要求1所述的美味猕猴桃砧木组培快繁方法，其特征在于，步骤（2）中切取顶芽时，需切掉周围所有的小叶及绒毛，保留0.3~0.5 cm，垂直插入培养瓶；切取腋芽时，需切掉茎上端、茎下端和叶柄的切口，保留0.5~1 cm，插入培养瓶，使腋芽朝上。

4.根据权利要求1所述的美味猕猴桃砧木组培快繁方法，其特征在于，步骤（5）中驯化处理的步骤为：将瓶苗置于温室大棚内3 d，光照8000~10000 Lux，温度24~28℃。

5.根据权利要求1所述的美味猕猴桃砧木组培快繁方法，其特征在于，步骤（5）中灭菌处理的步骤为：将洗净的苗株放入1000倍多菌灵中浸泡1 min，晾干。

6.根据权利要求1所述的美味猕猴桃砧木组培快繁方法，其特征在于，步骤（5）中所述的基质组成为：泥炭∶珍珠岩=3∶1。