[发明专利]一种固熔Ti(C,N)免烧硅莫砖及其制备方法有效
申请号: | 202010757417.8 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN112028641B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 孔祥魁;康剑;马淑龙;马飞;王治峰;孙艳粉;张积礼;倪高金;高长贺 | 申请(专利权)人: | 北京金隅通达耐火技术有限公司;巩义通达中原耐火技术有限公司 |
主分类号: | C04B35/66 | 分类号: | C04B35/66 |
代理公司: | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人: | 许艳敏 |
地址: | 100085 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ti 免烧硅莫砖 及其 制备 方法 | ||
1.一种固熔Ti(C,N) 免烧硅莫砖,其特征在于,该免烧硅莫砖由以下重量百分含量的组分制备而成:固溶Ti(C,N)电熔莫来石72~85%、碳化硅1~5%、煅烧氧化铝粉5~15%、结合粘土3~8%;外加占上述组分总重量3~5%的结合剂;
所述煅烧氧化铝粉中Al2O3的质量百分含量≥99%,粒度为500目;
所述结合粘土为粒度180~200目的细粉;
所述固溶Ti(C,N)电熔莫来石不同粒度的质量百分含量分布为:3~5mm为10%,1~3mm为35%,0~1mm为20%,200目为15%;
所述结合剂为磷酸二氢铝,其比重为1.3~1.5。
2.根据权利要求1所述的固熔Ti(C,N)免烧硅莫砖,其特征在于,所述碳化硅中SiC的质量百分含量≥90%,碳化硅的粒度为80目~200目。
3.一种权利要求1-2任一项所述的固熔Ti(C,N) 免烧硅莫砖的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
(1)按权利要求1所述的要求称取原料;
(2)将固溶Ti(C,N)电熔莫来石细粉、煅烧氧化铝粉、碳化硅、结合粘土置于预混机中预混,预混时间不低于30分钟,得到预混合粉;
(3)将固溶Ti(C,N)电熔莫来石颗粒料置于混炼机中混合1~3分钟,然后加入结合剂混合3~5分钟,再加入步骤(2)的预混合粉,混合10~15分钟,得到混合物料;
(4)将步骤(3)所得混合物料加入组装好的模具内,采用压力机压制成型得到砖坯;
(5)步骤(4)成型的砖坯经干燥后,经过低温处理,得到固熔Ti(C,N) 免烧硅莫砖;
所述干燥为在110℃条件下干燥45-50小时;
所述低温处理为:将干燥后的砖坯在500~600℃条件下保温8~12小时。
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