[发明专利]半导体功率器件和电器设备

权利要求书

1.一种半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件包括：

第一半导体层，具有第一导电类型，且被划分成元胞区和环绕所述元胞区外围设置的终端区，所述终端区内设有环绕所述元胞区的耐压槽；

第二半导体层，沿所述耐压槽的槽壁设置且具有第二导电类型；

第一绝缘层，覆盖于所述第二半导体层背离所述第一半导体层的一侧；

第一导体层，填充在所述耐压槽内且通过所述第一绝缘层与所述第二半导体层绝缘隔离，所述第一导体层进一步延伸到所述耐压槽的外部，并与所述第一半导体层导电接触；

其中，所述第一导电类型和第二导电类型对应于不同的掺杂类型。

2.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述第一导体层与所述第一半导体层的接触位置位于所述第一导体层所在的所述耐压槽背离所述元胞区的一侧。

3.根据权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，所述耐压槽的数量为多个，多个所述耐压槽彼此嵌套设置，所述多个耐压槽内的所述第一导体层彼此间隔设置。

4.根据权利要求3所述的半导体功率器件，其特征在于，所述元胞区设有电场阻挡层和位于所述电场阻挡层上的栅极沟槽，所述栅极沟槽的深度大于等于所述耐压槽的深度，所述耐压槽的深度随远离所述元胞区的距离的增大而逐渐降低。

5.根据权利要求4所述的半导体功率器件，其特征在于，所述栅极沟槽和邻近所述栅极沟槽的耐压槽之间设有第二导电类型的主环层，所述栅极沟槽两侧还设有第一导电类型的源极层，所述主环层连接所述源极层和所述第二半导体层。

6.根据权利要求1至5任一项所述的半导体功率器件，其特征在于，所述终端区内设置有环绕所述耐压槽的截止槽，所述半导体功率器件进一步包括沿所述截止槽的槽壁设置的具有第二导电类型的第三半导体层、覆盖于所述第三半导体层背离所述第一导体层一侧的第二绝缘层、填充在所述截止槽内且通过所述第二绝缘层与所述第三半导体层绝缘隔离的第二导体层，所述第二导体层进一步延伸到所述截止槽的外部并向所述耐压槽延伸，所述第二导体层与所述第一半导体层导电接触，且所述第二导体层与所述第一导体层间隔设置。

7.根据权利要求6所述的半导体功率器件，其特征在于，所述截止槽与相邻的所述耐压槽之间的间距大于所述耐压槽之间的间距，所述截止槽的深度小于等于所述耐压槽的深度，所述截止槽沿所述元胞区指向所述终端区方向上的宽度大于所述耐压槽沿所述元胞区指向所述终端区方向上的宽度。

8.根据权利要求7所述的半导体功率器件，其特征在于，所述耐压槽沿所述元胞区指向所述终端区方向上的宽度与所述栅极沟槽沿所述元胞区指向所述终端区方向上的宽度一致，与所述元胞区相邻的所述耐压槽的深度与所述栅极沟槽的深度一致，与所述截止槽相邻的所述耐压槽的深度为所述栅极沟槽深度的十分之一。

9.根据权利要求3所述的半导体功率器件，其特征在于，由内向外分布的多个所述耐压槽等间距分布，且由内向外的多个所述耐压槽的深度等比例地降低；或

由内向外分布的多个所述耐压槽之间的间距依次增大，且由内向外分布的多个所述耐压槽的深度随间距等比例地降低。

10.一种电器设备，其特征在于，所述电器设备包括如权利要求1至9任意一项所述的半导体功率器件。