[发明专利]一种低铁损取向硅钢极薄带的制备方法

权利要求书

1.一种低铁损取向硅钢极薄带的制备方法，其特征在于，该方法是以0.15～0.35mm厚成品取向硅钢为原料，制备工艺路线为：第一次冷轧→高温退火→第二次冷轧→再结晶退火；

各工序工艺如下：

1)第一次冷轧：总压下率控制在50％～70％；

2)高温退火采用罩式退火：纯N₂气氛中用1～3小时升温至600～700℃；在H₂+N₂保护气氛中600～700℃保温，保温直至露点降至0℃以下，继续升温；在600～700℃以后的升温阶段，采用纯H₂气氛，升温速率为10～200℃/h；升温至850～1120℃，在纯H₂气氛中保温2～30h；保温结束后，以不超过20℃/h的降温速率将钢卷温度降至300℃以下出炉；

3)第二次冷轧：将退火后的带钢冷轧至最终厚度，总压下率控制在50％～70％；

4)再结晶退火：在氮氢混合气氛或纯氢气氛下，带钢在750～1000℃退火20～300s。

2.根据权利要求1所述的一种低铁损取向硅钢极薄带的制备方法，其特征在于，上述步骤2)中，在H₂+N₂保护气氛中600～700℃保温，其中H₂所占体积百分比为50％～80％，其余为N₂。

3.根据权利要求1所述的一种低铁损取向硅钢极薄带的制备方法，其特征在于，所述取向硅钢极薄带成品厚度为0.1mm以下。

4.根据权利要求1所述的一种低铁损取向硅钢极薄带的制备方法，其特征在于，所述取向硅钢极薄带成品的磁感B8＝1.78-1.86T。