[发明专利]载置台和基板处理装置在审
申请号: | 202010760225.2 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN112349645A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 佐竹大辅 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01J37/32 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 载置台 处理 装置 | ||
本发明提供载置台和基板处理装置。防止载置台所使用的粘接层的消耗。载置台具有:晶圆载置部,其具有载置晶圆的载置面,并形成有第1贯通孔;基台,其利用第1粘接层与所述晶圆载置部的背面粘接,并形成有与所述第1贯通孔连通的第2贯通孔,该第2贯通孔具有比所述第1贯通孔的孔径大的孔径;筒状的套筒,其以能够与密封构件一起相对于所述基台拆卸的方式设于所述第2贯通孔的内部;以及所述密封构件,其以与所述第1粘接层分离开的方式设于所述晶圆载置部的背面与所述套筒之间,而密封所述第1粘接层,以沿着所述套筒的顶端的外周和内周中的至少任一者延伸的方式在所述套筒的周向上形成有凸部,所述密封构件被所述套筒的顶端推压而伸缩。
技术领域
本公开涉及载置台和基板处理装置。
背景技术
公知有一种等离子体处理装置,其包括:真空处理容器、在该处理容器内兼作下部电极的、用于保持被处理体的载置台、以及与该载置台相对的上部电极(例如,参照专利文献1)。
该等离子体处理装置的载置台包括静电卡盘、基座以及筒状的套筒。在静电卡盘形成有第1贯通孔。基座利用第1粘接层与静电卡盘的背面粘接,并形成有与第1贯通孔连通的第2贯通孔。套筒利用第2粘接层在与第1贯通孔连通的状态下与静电卡盘的背面粘接。由此,在使形成于基座的第2贯通孔与第1贯通孔连通的状态下使筒状的套筒与静电卡盘的背面粘接。自第1贯通孔或第2贯通孔流入的等离子体或自由基被套筒遮挡,因而能够防止第1粘接层,即静电卡盘的粘接结合所使用的粘接剂直接暴露于等离子体或自由基而被消耗。
专利文献1:日本特开2016-28448号公报
发明内容
本公开提供能够防止载置台所使用的粘接层的消耗的载置台和基板处理装置。
根据本公开的一技术方案,提供一种载置台,其中,该载置台具有:晶圆载置部,其具有载置晶圆的载置面,并形成有第1贯通孔;基台,其利用第1粘接层与所述晶圆载置部的背面粘接,并形成有与所述第1贯通孔连通的第2贯通孔,该第2贯通孔具有比所述第1贯通孔的孔径大的孔径;筒状的套筒,其以能够与密封构件一起相对于所述基台拆卸的方式设于所述第2贯通孔的内部;以及所述密封构件,其以与所述第1粘接层分离开的方式设于所述晶圆载置部的背面与所述套筒之间,而密封所述第1粘接层,以沿着所述套筒的顶端的外周和内周中的至少任一者延伸的方式在所述套筒的周向上形成有凸部,所述密封构件被所述套筒的顶端推压而伸缩。
根据一技术方案,能够防止载置台所使用的粘接层的消耗。
附图说明
图1是表示一实施方式所涉及的基板处理装置的一个例子的剖视示意图。
图2是表示一实施方式所涉及的载置台的一个例子的图。
图3是表示一实施方式的变形例所涉及的载置台的一个例子的图。
图4是表示一实施方式的变形例所涉及的载置台的一个例子的图。
具体实施方式
以下,参照附图说明用于实施本公开的方式。在各附图中,存在对同样的构成部分标注相同的附图标记,并省略重复的说明的情况。
[基板处理装置]
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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