[发明专利]载置台和基板处理装置

说明书

本发明提供载置台和基板处理装置。对基板的最外周的温度进行控制。提供一种载置台，该载置台具有位于基板的外侧的第1面和载置基板的第2面，其中，该载置台与所述第1面对应地形成第1流路。

技术领域

本公开涉及载置台和基板处理装置。

背景技术

对于基板处理装置，为了进行载置于载置台的基板的温度调整，通过向设于载置台的内部的流路流入被控制为规定的温度的制冷剂，从而对基板进行冷却(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2006－261541号公报

专利文献2：日本特开2011－151055号公报

专利文献3：日本特许第5210706号说明书

专利文献4：日本特许第5416748号说明书

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供能够对基板的最外周的温度进行控制的载置台和基板处理装置。

用于解决问题的方案

根据本公开的一技术方案，提供具有位于基板的外侧的第1面和载置基板的第2面的载置台，其中，与所述第1面对应地形成第1流路。

发明的效果

根据一技术方案，能够对基板的最外周的温度进行控制。

附图说明

图1是表示一实施方式所涉及的基板处理装置的一个例子的剖面示意图。

图2是表示一实施方式所涉及的流路的一个例子的图。

图3是表示一实施方式所涉及的流路的构造与配置条件的一个例子的图。

图4是表示一实施方式所涉及的基板的最外周与热源之间的位置关系的一个例子的图。

图5是表示一实施方式所涉及的流路的有无与基板设置区域的温度的实验结果的一个例子的图。

具体实施方式

以下，参照附图说明用于实施本公开的方式。在各附图中，存在对同样的结构部分标注相同的附图标记而省略重复的说明的情况。

[基板处理装置]

使用图1说明一实施方式所涉及的基板处理装置1。图1是表示一实施方式所涉及的基板处理装置1的一个例子的剖面示意图。基板处理装置1包括腔室10。腔室10在其中提供内部空间10s。腔室10包含腔室主体12。腔室主体12具有大致圆筒形状。腔室主体12例如由铝形成。在腔室主体12的内壁面上设有具有耐腐蚀性的膜。该膜可以为氧化铝、氧化钇等的陶瓷。

在腔室主体12的侧壁形成有通路12p。基板W穿过通路12p而被在内部空间10s与腔室10的外部之间输送。通路12p利用沿着腔室主体12的侧壁设置的闸阀12g开闭。

在腔室主体12的底部上设有支承部13。支承部13由绝缘材料形成。支承部13具有大致圆筒形状。支承部13在内部空间10s之中自腔室主体12的底部向上方延伸。支承部13在上部具有载置台14。载置台14构成为在内部空间10s之中支承基板W。

载置台14具有基台18和静电卡盘20。载置台14还可以具有电极板16。电极板16由铝等导体形成，并具有大致圆盘状。基台18设于电极板16上。基台18由铝等导体形成，并具有大致圆盘状。基台18与电极板16电连接。